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- 型号： IXFK20N120P
- 制造商： IXYS
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IXFK20N120P由IXYS设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXFK20N120P价格参考。IXYSIXFK20N120P封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IXFK20N120P参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IXFK20N120P 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IXYS品牌的IXFK20N120P是一款N沟道功率MOSFET，广泛应用于需要高电压和高电流性能的场合。该器件具有20A的连续漏极电流能力和1200V的漏源击穿电压，适合用于高功率密度和高效率的电力电子系统中。 主要应用场景包括： 1. 工业电源和电机驱动：如变频器、伺服驱动器和工业自动化设备，适用于控制和驱动高功率交流或直流电机。 2. 可再生能源系统：如太阳能逆变器和风能转换系统，用于将直流电转换为交流电并网使用。 3. 电动汽车和充电桩：作为功率转换模块中的关键元件，用于DC-DC变换器或车载充电器中。 4. 电源管理系统：在UPS（不间断电源）和储能系统中，用于高效的能量转换和管理。 5. 感应加热和焊接设备：用于高频逆变电源中，提供快速开关能力和高热稳定性。 6. 高功率LED照明驱动：在需要高效率和高稳定性的大功率LED照明系统中作为开关元件。 该器件具备低导通电阻、高耐压和良好的热性能，适用于高频率开关应用，有助于提高系统效率和减小散热设计复杂度。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 1200V 20A TO-264 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | IXYS |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | IXFK20N120P |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | Polar™ HiPerFET™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 6.5V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 11100pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 193nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 570 毫欧 @ 10A，10V |
| 供应商器件封装 | TO-264AA （IXFK） |
| 功率-最大值 | 780W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-264-3，TO-264AA |
| 标准包装 | 25 |
| 漏源极电压(Vdss) | 1200V（1.2kV） |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 20A （Tc） |
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