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产品简介:
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NTMFS4841NT3G 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的 N 沟道增强型 MOSFET,属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类别。该型号具有低导通电阻(Rds(on))和高开关速度的特点,适用于多种电力电子应用场景。以下是其主要应用场景: 1. 电源管理: NTMFS4841NT3G 常用于 DC-DC 转换器、降压/升压转换器以及开关模式电源(SMPS)中。其低 Rds(on) 特性有助于减少导通损耗,提高整体效率,适合需要高效能的电源设计。 2. 电机驱动: 该 MOSFET 可用于小型直流电机或步进电机的驱动电路中,提供高效的开关控制。其快速开关特性和低功耗使其成为电机驱动应用的理想选择。 3. 负载开关: 在便携式设备或消费电子产品中,NTMFS4841NT3G 可用作负载开关,实现对不同负载的动态控制,同时降低系统功耗。 4. 电池管理系统(BMS): 该器件适用于锂电池保护电路或电池充放电管理,能够有效控制电流流向并保护电池免受过流或短路损害。 5. 逆变器与太阳能微逆变器: 在小型逆变器或太阳能微逆变器中,NTMFS4841NT3G 的高效开关性能可帮助实现能量转换优化。 6. 信号切换与保护: 它可用于高速信号切换电路中,同时提供过流保护功能,确保系统运行稳定。 总结来说,NTMFS4841NT3G 凭借其低 Rds(on)、高效率和可靠性,广泛应用于消费电子、工业控制、通信设备以及汽车电子等领域中的各种功率管理和信号处理场景。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 30V 8.3A SO-8FL |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | ON Semiconductor |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | NTMFS4841NT3G |
PCN过时产品 | |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.5V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1436pF @ 12V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 17nC @ 4.5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 7 毫欧 @ 30A,10V |
供应商器件封装 | 6-DFN,8-SO 扁平引线(5x6) |
功率-最大值 | 870mW |
包装 | 带卷 (TR) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-TDFN 裸焊盘(5 根引线) |
标准包装 | 5,000 |
漏源极电压(Vdss) | 30V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 8.3A (Ta), 57A (Tc) |