ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 二极管 - 齐纳 - 单 > 1N5242B-TR
数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
+xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供1N5242B-TR由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 1N5242B-TR价格参考。Vishay1N5242B-TR封装/规格:二极管 - 齐纳 - 单, Zener Diode 12V 500mW ±5% Through Hole DO-35。您可以下载1N5242B-TR参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有1N5242B-TR 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
1N5242B-TR 是由 Vishay Semiconductor Diodes Division 生产的单向齐纳二极管,其主要应用场景包括: 1. 电压稳压 - 该型号的齐纳二极管常用于电路中提供稳定的参考电压。例如,在电源电路中,它可以与电阻串联,将输入电压稳定在一个特定值(6.2V),为后续电路提供可靠的供电。 2. 过压保护 - 在敏感电子设备中,1N5242B-TR 可用作过压保护器件。当输入电压超过设定值时,齐纳二极管会导通并将多余电压泄放到地,从而保护后级电路免受高电压损坏。 3. 信号电平调整 - 在信号处理电路中,齐纳二极管可以用来限制信号的幅值。例如,在音频或射频电路中,它可用于削波或钳位操作,确保信号幅度在允许范围内。 4. 电源监控电路 - 1N5242B-TR 可用于设计电源监控电路,检测电源电压是否低于或高于某个阈值。通过与比较器配合,可以实现电源故障报警或自动关断功能。 5. 温度补偿电路 - 齐纳二极管的反向击穿电压会随温度变化而略有漂移。1N5242B-TR 可与其他温度补偿元件结合使用,以减少温度对电路性能的影响。 6. 浪涌抑制 - 在瞬态电压抑制(TVS)应用中,齐纳二极管可快速响应电压浪涌,将其钳位到安全水平,适用于工业控制、通信设备等领域。 特性总结: - 额定功率:0.5W - 齐纳电压:6.2V(±5% 精度) - 工作温度范围:-55°C 至 +150°C - 封装形式:DO-35 小型玻璃封装 这些特性使 1N5242B-TR 成为低功耗、高可靠性的齐纳二极管,广泛应用于消费电子、汽车电子、工业控制和通信设备等领域。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | DIODE ZENER 12V 500MW DO35稳压二极管 12 Volt 0.5 Watt |
产品分类 | 单二极管/齐纳分离式半导体 |
品牌 | Vishay Semiconductor Diodes DivisionVishay Semiconductors |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 二极管与整流器,稳压二极管,Vishay Semiconductors 1N5242B-TR- |
数据手册 | |
产品型号 | 1N5242B-TR1N5242B-TR |
不同If时的电压-正向(Vf) | 1.1V @ 200mA |
不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 1µA @ 9.1V |
产品种类 | 稳压二极管 |
供应商器件封装 | DO-35 |
其它名称 | 1N5242BVSTR |
功率-最大值 | 500mW |
功率耗散 | 500 mW |
包装 | 带卷 (TR) |
商标 | Vishay Semiconductors |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
容差 | ±5% |
封装 | Reel |
封装/外壳 | DO-204AH,DO-35,轴向 |
封装/箱体 | DO-35 |
工作温度 | - |
工厂包装数量 | 10000 |
最大反向漏泄电流 | 1 uA |
最大工作温度 | + 175 C |
最大齐纳阻抗 | 30 Ohms |
最小工作温度 | - 65 C |
标准包装 | 10,000 |
电压-齐纳(标称值)(Vz) | 12V |
电压容差 | 5 % |
电压温度系数 | 0.077 %/K |
系列 | 1N52xxB |
配置 | Single |
阻抗(最大值)(Zzt) | 30 欧姆 |
齐纳电压 | 12 V |
齐纳电流 | 20 mA |