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  • 型号: IRF1324S-7PPBF
  • 制造商: International Rectifier
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IRF1324S-7PPBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF1324S-7PPBF价格参考。International RectifierIRF1324S-7PPBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 24V 240A(Tc) 300W(Tc) D2PAK(7-Lead)。您可以下载IRF1324S-7PPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRF1324S-7PPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

MOSFET N-CH 24V 429A D2PAK-7MOSFET MOSFT 24V 340A 1.65mOhm 160nC Qg

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

429 A

Id-连续漏极电流

429 A

品牌

International Rectifier

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,International Rectifier IRF1324S-7PPBFHEXFET®

数据手册

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产品型号

IRF1324S-7PPBF

PCN组件/产地

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Pd-PowerDissipation

300 W

Pd-功率耗散

300 W

Qg-GateCharge

180 nC

Qg-栅极电荷

180 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

0.8 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

800 uOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

24 V

Vds-漏源极击穿电压

24 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

7700pF @ 19V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

252nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

1 毫欧 @ 160A,10V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240

产品目录页面

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产品种类

MOSFET

供应商器件封装

D2PAK(7-Lead)

其它名称

IRF1324S7PPBF

功率-最大值

300W

功率耗散

300 W

包装

管件

商标

International Rectifier

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

导通电阻

0.8 mOhms

封装

Tube

封装/外壳

TO-263-7,D²Pak(6 引线+接片),TO-263CB

封装/箱体

D2PAK-2

工厂包装数量

50

晶体管极性

N-Channel

栅极电荷Qg

180 nC

标准包装

50

汲极/源极击穿电压

24 V

漏极连续电流

429 A

漏源极电压(Vdss)

24V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

240A (Tc)

设计资源

http://www.irf.com/product-info/models/saber/irf1324s-7ppbf.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irf1324s-7ppbf.spi

闸/源击穿电压

20 V

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