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Datasheet下载- 型号： IRF1324S-7PPBF
- 制造商： International Rectifier
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF1324S-7PPBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF1324S-7PPBF价格参考。International RectifierIRF1324S-7PPBF封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 24V 240A（Tc） 300W（Tc） D2PAK（7-Lead）。您可以下载IRF1324S-7PPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRF1324S-7PPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies的IRF1324S-7PPBF是一款单通道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要应用于功率转换和电机控制等领域。以下是该型号的具体应用场景： 1. 电源管理 IRF1324S-7PPBF常用于开关电源（SMPS）中，作为高效的开关元件。它能够在高频条件下工作，减少能量损耗，提高电源效率。具体应用包括： - DC-DC转换器：用于将直流电压从一个水平转换到另一个，广泛应用于笔记本电脑、服务器和通信设备中。 - AC-DC适配器：用于将交流电转换为稳定的直流电，适用于手机充电器、LED驱动器等。 2. 电机驱动 该MOSFET适用于驱动小型直流电机或步进电机，特别是在需要高效率和低发热的应用中。其低导通电阻（Rds(on)）有助于减少功率损耗，提升电机性能。典型应用包括： - 电动工具：如电钻、电锯等，要求高效能和快速响应。 - 家用电器：如风扇、吸尘器等，需要精确控制电机速度和方向。 3. 电池管理系统 在电池管理系统（BMS）中，IRF1324S-7PPBF可以用于保护电路，防止过充、过放和短路等情况。它的快速开关特性和低功耗特性使其成为理想选择。常见于： - 电动汽车（EV）：用于电池组的充放电控制，确保电池安全运行。 - 便携式电子设备：如智能手机、平板电脑等，提供高效的电池管理。 4. 信号切换 该MOSFET还可以用作信号切换元件，尤其是在需要高速切换和低噪声的应用中。例如： - 音频设备：用于切换不同的音频输入源，保证信号的纯净度。 - 工业自动化：用于控制传感器和执行器之间的信号传递，确保系统的稳定性和可靠性。 总结 IRF1324S-7PPBF凭借其出色的电气性能和可靠性，广泛应用于电源管理、电机驱动、电池管理和信号切换等领域。它不仅能够提高系统的效率，还能降低功耗和发热量，是现代电子产品中不可或缺的关键组件。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 24V 429A D2PAK-7MOSFET MOSFT 24V 340A 1.65mOhm 160nC Qg |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 429 A |
| Id-连续漏极电流 | 429 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRF1324S-7PPBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRF1324S-7PPBF |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 300 W |
| Pd-功率耗散 | 300 W |
| Qg-GateCharge | 180 nC |
| Qg-栅极电荷 | 180 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 0.8 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 800 uOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 24 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 24 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 7700pF @ 19V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 252nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 1 毫欧 @ 160A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240 |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D2PAK（7-Lead） |
| 其它名称 | IRF1324S7PPBF |
| 功率-最大值 | 300W |
| 功率耗散 | 300 W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 0.8 mOhms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-263-7，D²Pak（6 引线+接片），TO-263CB |
| 封装/箱体 | D2PAK-2 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 栅极电荷Qg | 180 nC |
| 标准包装 | 50 |
| 汲极/源极击穿电压 | 24 V |
| 漏极连续电流 | 429 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 24V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 240A （Tc） |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/saber/irf1324s-7ppbf.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irf1324s-7ppbf.spi |
| 闸/源击穿电压 | 20 V |
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