【二极管 - 整流器 - 单_MBR120ESFT1G】封装/厂家_MBR120ESFT1G中文资料_价格

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型号： MBR120ESFT1G
制造商： ON Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供MBR120ESFT1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MBR120ESFT1G价格参考。ON SemiconductorMBR120ESFT1G封装/规格：二极管 - 整流器 - 单，肖特基表面贴装二极管 20V 1A SOD-123L。您可以下载MBR120ESFT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MBR120ESFT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

ON Semiconductor的MBR120ESFT1G是一款肖特基势垒二极管（Schottky Barrier Diode），属于二极管-整流器-单类别。该器件具有低正向压降（典型值为0.28V）和高开关效率，适用于对能效要求较高的应用场合。

主要应用场景包括：  
1. 电源适配器与充电器：广泛用于手机、笔记本电脑等便携式电子设备的AC-DC电源转换电路中，提升转换效率并降低发热。  
2. DC-DC转换器：在降压（Buck）或升压（Boost）型转换器中作为续流或整流二极管，提高系统整体效率。  
3. 逆变器与UPS电源：用于不间断电源和小型逆变器中的整流与保护电路，确保稳定运行。  
4. 消费类电子产品：如电视、机顶盒、路由器等内部电源模块，发挥其高频响应和低损耗优势。  
5. 工业控制与照明电源：适用于LED驱动电源及工业小功率电源系统，满足可靠性和节能需求。

MBR120ESFT1G采用SOD-123FL小型封装，便于高密度布局，并具备良好的热性能和可靠性。其最大平均整流电流为1A，反向耐压为20V，适合低压、大电流整流场景。此外，该型号符合RoHS环保标准，且为无卤素产品，适用于绿色电子产品设计。

综上，MBR120ESFT1G特别适用于追求高效、低功耗和小型化的低压直流电源系统，是现代电子设备中理想的整流解决方案。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品半导体
描述	DIODE SCHOTTKY 20V 1A SOD123L肖特基二极管与整流器 1A 20V
产品分类	单二极管/整流器分离式半导体
品牌	ON Semiconductor
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	二极管与整流器,肖特基二极管与整流器,ON Semiconductor MBR120ESFT1G-
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品型号	MBR120ESFT1G
PCN设计/规格	点击此处下载产品Datasheet
不同If时的电压-正向(Vf)	530mV @ 1A
不同 Vr、F时的电容	-
不同 Vr时的电流-反向漏电流	10µA @ 20V
二极管类型	肖特基
产品	Schottky Diodes
产品目录页面	点击此处下载产品Datasheet
产品种类	肖特基二极管与整流器
供应商器件封装	SOD-123L
其它名称	MBR120ESFT1GOSDKR
包装	Digi-Reel®
反向恢复时间(trr)	-
商标	ON Semiconductor
安装类型	表面贴装
安装风格	SMD/SMT
封装	Reel
封装/外壳	SOD-123F
封装/箱体	SOD-123FL
峰值反向电压	20 V
工作温度-结	-65°C ~ 150°C
工作温度范围	- 65 C to + 150 C
工厂包装数量	3000
技术	Silicon
最大反向漏泄电流	10 uA
最大工作温度	+ 150 C
最大浪涌电流	40 A
最小工作温度	- 65 C
标准包装	1
正向电压下降	0.595 V at 2 A
正向连续电流	1 A
热阻	26°C/W Jl
电压-DC反向(Vr)（最大值）	20V
电流-平均整流(Io)	1A
系列	MBR120ESF
速度	快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）
配置	Single
零件号别名	MBR120ESFT3G

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