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  • 型号: SI4464DY-T1-E3
  • 制造商: Vishay
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SI4464DY-T1-E3产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供SI4464DY-T1-E3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI4464DY-T1-E3价格参考。VishaySI4464DY-T1-E3封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 200V 1.7A(Ta) 1.5W(Ta) 8-SO。您可以下载SI4464DY-T1-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SI4464DY-T1-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Vishay Siliconix 的 SI4464DY-T1-E3 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET,广泛应用于各种电力电子领域。以下是其主要应用场景:

 1. 电源管理
   - DC-DC 转换器:SI4464DY-T1-E3 可用作开关器件,在降压(Buck)、升压(Boost)或升降压(Buck-Boost)转换器中实现高效的电压调节。
   - 负载开关:在便携式设备中,该 MOSFET 可作为负载开关,控制电路的通断,降低功耗并保护系统。
   - 电池管理:适用于锂电池保护电路,用于防止过充、过放和短路。

 2. 电机驱动
   - 用于小型直流电机或步进电机的驱动电路,提供高效的开关控制。
   - 在 H 桥电路中,可实现电机的正转、反转和制动功能。

 3. 消费电子
   - 手机和平板电脑:作为充电管理中的开关器件,支持快速充电功能。
   - 笔记本电脑:用于内部电源分配和管理。
   - 音频设备:在 D 类放大器中用作开关元件,提供高效率和低失真。

 4. 汽车电子
   - 车身控制系统:如电动车窗、雨刷器、座椅调节等应用。
   - LED 驱动:为汽车内外部 LED 灯提供稳定的电流驱动。
   - 逆变器:用于将电池直流电转换为交流电,为车载设备供电。

 5. 工业控制
   - 传感器接口:用于控制传感器的供电或信号传输。
   - 继电器替代:利用其快速开关特性和低导通电阻,替代传统机械继电器。
   - 太阳能微逆变器:在小型光伏系统中,用于能量转换和管理。

 6. 通信设备
   - 基站电源:在通信基站中用于高效电源分配。
   - 网络设备:如路由器、交换机等的电源模块中,提供稳定可靠的电力支持。

 特性优势
- 低导通电阻(Rds(on)):减少功率损耗,提高效率。
- 高开关速度:适合高频应用,降低开关损耗。
- 小封装尺寸(DFN8065-2L):节省 PCB 空间,适合紧凑设计。
- 出色的热性能:确保在高功率条件下稳定运行。

综上所述,SI4464DY-T1-E3 凭借其优异的性能和可靠性,成为多种电力电子应用的理想选择。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 200V 1.7A 8-SOICMOSFET 200V 2.2A 0.24Ohm

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

1.7 A

Id-连续漏极电流

1.7 A

品牌

Vishay SiliconixVishay / Siliconix

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产品图片

rohs

RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI4464DY-T1-E3TrenchFET®

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产品型号

SI4464DY-T1-E3SI4464DY-T1-E3

Pd-PowerDissipation

1.5 W

Pd-功率耗散

1.5 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

240 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

240 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

200 V

Vds-漏源极击穿电压

200 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

上升时间

12 ns

下降时间

12 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

-

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

18nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

240 毫欧 @ 2.2A,10V

产品目录页面

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产品种类

N-Channel MOSFETs

供应商器件封装

8-SO

其它名称

SI4464DY-T1-E3DKR

典型关闭延迟时间

15 ns

功率-最大值

1.5W

包装

Digi-Reel®

商标

Vishay / Siliconix

商标名

TrenchFET

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

导通电阻

240 mOhms

封装

Reel

封装/外壳

8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

封装/箱体

SOIC-8 Narrow

工厂包装数量

2500

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

汲极/源极击穿电压

200 V

漏极连续电流

1.7 A

漏源极电压(Vdss)

200V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

1.7A (Ta)

通道模式

Enhancement

配置

Single

零件号别名

SI4464DY-E3

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