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SI4464DY-T1-E3产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供SI4464DY-T1-E3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI4464DY-T1-E3价格参考。VishaySI4464DY-T1-E3封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 200V 1.7A(Ta) 1.5W(Ta) 8-SO。您可以下载SI4464DY-T1-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SI4464DY-T1-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI4464DY-T1-E3 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET,广泛应用于各种电力电子领域。以下是其主要应用场景: 1. 电源管理 - DC-DC 转换器:SI4464DY-T1-E3 可用作开关器件,在降压(Buck)、升压(Boost)或升降压(Buck-Boost)转换器中实现高效的电压调节。 - 负载开关:在便携式设备中,该 MOSFET 可作为负载开关,控制电路的通断,降低功耗并保护系统。 - 电池管理:适用于锂电池保护电路,用于防止过充、过放和短路。 2. 电机驱动 - 用于小型直流电机或步进电机的驱动电路,提供高效的开关控制。 - 在 H 桥电路中,可实现电机的正转、反转和制动功能。 3. 消费电子 - 手机和平板电脑:作为充电管理中的开关器件,支持快速充电功能。 - 笔记本电脑:用于内部电源分配和管理。 - 音频设备:在 D 类放大器中用作开关元件,提供高效率和低失真。 4. 汽车电子 - 车身控制系统:如电动车窗、雨刷器、座椅调节等应用。 - LED 驱动:为汽车内外部 LED 灯提供稳定的电流驱动。 - 逆变器:用于将电池直流电转换为交流电,为车载设备供电。 5. 工业控制 - 传感器接口:用于控制传感器的供电或信号传输。 - 继电器替代:利用其快速开关特性和低导通电阻,替代传统机械继电器。 - 太阳能微逆变器:在小型光伏系统中,用于能量转换和管理。 6. 通信设备 - 基站电源:在通信基站中用于高效电源分配。 - 网络设备:如路由器、交换机等的电源模块中,提供稳定可靠的电力支持。 特性优势 - 低导通电阻(Rds(on)):减少功率损耗,提高效率。 - 高开关速度:适合高频应用,降低开关损耗。 - 小封装尺寸(DFN8065-2L):节省 PCB 空间,适合紧凑设计。 - 出色的热性能:确保在高功率条件下稳定运行。 综上所述,SI4464DY-T1-E3 凭借其优异的性能和可靠性,成为多种电力电子应用的理想选择。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N-CH 200V 1.7A 8-SOICMOSFET 200V 2.2A 0.24Ohm |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 1.7 A |
Id-连续漏极电流 | 1.7 A |
品牌 | Vishay SiliconixVishay / Siliconix |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI4464DY-T1-E3TrenchFET® |
数据手册 | |
产品型号 | SI4464DY-T1-E3SI4464DY-T1-E3 |
Pd-PowerDissipation | 1.5 W |
Pd-功率耗散 | 1.5 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 240 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 240 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 200 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 200 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
上升时间 | 12 ns |
下降时间 | 12 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 18nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 240 毫欧 @ 2.2A,10V |
产品目录页面 | |
产品种类 | N-Channel MOSFETs |
供应商器件封装 | 8-SO |
其它名称 | SI4464DY-T1-E3DKR |
典型关闭延迟时间 | 15 ns |
功率-最大值 | 1.5W |
包装 | Digi-Reel® |
商标 | Vishay / Siliconix |
商标名 | TrenchFET |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
导通电阻 | 240 mOhms |
封装 | Reel |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
封装/箱体 | SOIC-8 Narrow |
工厂包装数量 | 2500 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
汲极/源极击穿电压 | 200 V |
漏极连续电流 | 1.7 A |
漏源极电压(Vdss) | 200V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 1.7A (Ta) |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |
零件号别名 | SI4464DY-E3 |