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详细数据请看参考数据手册
- 型号： IXTQ180N055T
- 制造商： IXYS
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IXTQ180N055T由IXYS设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXTQ180N055T价格参考。IXYSIXTQ180N055T封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IXTQ180N055T参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IXTQ180N055T 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IXYS品牌的IXTQ180N055T是一款高功率MOSFET晶体管，主要应用于需要高效、高电流和低导通电阻的电力电子系统中。该器件的额定电流为180A，耐压为55V，适合用于大功率DC-DC转换器、电机驱动、电源管理系统以及工业自动化设备中。此外，它也常用于电动汽车（EV）充电系统、储能系统和不间断电源（UPS）等高要求的应用场景。由于其高可靠性和热稳定性，IXTQ180N055T也适用于高温环境下运行的工业控制和电源模块设计。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 55V 180A TO-3P |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | IXYS |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | IXTQ180N055T |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 5800pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 160nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 4 毫欧 @ 50A，10V |
| 供应商器件封装 | TO-3P |
| 功率-最大值 | 360W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-3P-3，SC-65-3 |
| 标准包装 | 30 |
| 漏源极电压(Vdss) | 55V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 180A （Tc） |
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