【晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置_MUN5111T1G】封装/厂家_MUN5111T1G中文资料_价格

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型号： MUN5111T1G
制造商： ON Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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MUN5111T1G产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供MUN5111T1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MUN5111T1G价格参考￥0.16-￥0.16。ON SemiconductorMUN5111T1G封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置， Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 202mW Surface Mount SC-70-3 (SOT323)。您可以下载MUN5111T1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MUN5111T1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3开关晶体管 - 偏压电阻器 SS BR XSTR PNP 50V
产品分类	晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式分离式半导体
品牌	ON Semiconductor
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产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,ON Semiconductor MUN5111T1G-
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产品型号	MUN5111T1G
PCN设计/规格	点击此处下载产品Datasheet
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值）	250mV @ 300µA， 10mA
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值）	35 @ 5mA，10V
产品目录页面	点击此处下载产品Datasheet
产品种类	开关晶体管 - 偏压电阻器
供应商器件封装	SC-70-3（SOT323）
其它名称	MUN5111T1GOSCT
典型电阻器比率	1
典型输入电阻器	10 kOhms
功率-最大值	202mW
功率耗散	202 mW
包装	剪切带（CT）
商标	ON Semiconductor
安装类型	表面贴装
安装风格	SMD/SMT
封装	Reel
封装/外壳	SC-70，SOT-323
封装/箱体	SC-70-3
峰值直流集电极电流	100 mA
工厂包装数量	3000
晶体管极性	PNP
晶体管类型	PNP - 预偏压
最大工作温度	+ 150 C
最小工作温度	- 55 C
标准包装	1
电压-集射极击穿（最大值）	50V
电流-集电极(Ic)（最大值）	100mA
电流-集电极截止（最大值）	500nA
电阻器-发射极基底(R2)(Ω)	10k
电阻器-基底(R1)(Ω)	10k
直流集电极/BaseGainhfeMin	35
系列	MUN5111
配置	Single
集电极—发射极最大电压VCEO	50 V
集电极连续电流	100 mA
频率-跃迁	-

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