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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供PDTC114ET,235由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PDTC114ET,235价格参考。NXP SemiconductorsPDTC114ET,235封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 单,预偏置, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 230MHz 250mW Surface Mount TO-236AB。您可以下载PDTC114ET,235参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PDTC114ET,235 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Nexperia USA Inc. 的 PDTC114ET,235 是一款预偏置型双极结型晶体管(BJT),集成了内置偏置电阻,简化电路设计。该器件属于表面贴装型SOT-23封装,适用于空间受限的高密度电子产品。 其主要应用场景包括:各类便携式消费电子设备中的信号开关与电平转换,如智能手机、平板电脑和可穿戴设备;在电源管理电路中用于LED驱动控制或小功率负载开关;工业控制模块中实现逻辑信号放大与接口驱动;以及各类低电压、低电流的数字开关电路,如微控制器与外围器件之间的缓冲控制。 PDTC114ET,235具备良好的开关特性与稳定的偏置网络,能有效减少外部元件数量,提升系统可靠性,广泛应用于需要小型化、高集成度和高稳定性的电子控制系统中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS PREBIAS NPN 250MW TO236AB开关晶体管 - 偏压电阻器 TRANS RET TAPE-11 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,NXP Semiconductors PDTC114ET,235- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PDTC114ET,235 |
| PCN封装 | |
| PCN设计/规格 | |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 150mV @ 500µA, 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 30 @ 5mA,5V |
| 产品种类 | 开关晶体管 - 偏压电阻器 |
| 供应商器件封装 | SOT-23 (TO-236AB) |
| 其它名称 | 568-8256-1 |
| 典型电阻器比率 | 1 |
| 典型输入电阻器 | 10 kOhms |
| 功率-最大值 | 250mW |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23-3 |
| 峰值直流集电极电流 | 100 mA |
| 工厂包装数量 | 10000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN - 预偏压 |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 50V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 100mA |
| 电流-集电极截止(最大值) | 1µA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 10k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 10k |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 50 V |
| 零件号别名 | /T3 PDTC114ET |
| 频率-跃迁 | 230MHz |