Datasheet下载- 型号： PDTA114ET,235
- 制造商： NXP Semiconductors
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PDTA114ET,235由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PDTA114ET,235价格参考。NXP SemiconductorsPDTA114ET,235封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PDTA114ET,235参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PDTA114ET,235 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PDTA114ET,235 是 NXP USA Inc. 推出的一款数字晶体管（即带内置偏置电阻的 NPN 型预偏置双极结型晶体管，BRT），其内部集成一个 10 kΩ 上拉电阻（R1）和一个 10 kΩ 发射极下拉电阻（R2），实现 1:1 的电阻比（R1=R2=10 kΩ），典型用于逻辑电平直接驱动场景。 该器件主要应用于： ✅ 微控制器（MCU）I/O 口驱动：可直接连接 3.3V 或 5V 逻辑输出，无需外置基极电阻，简化电路、节省 PCB 面积； ✅ LED 开关控制：常用于指示灯、背光或段码式 LED 驱动，提供可靠开关及限流保护； ✅ 小功率负载开关：如蜂鸣器、继电器线圈（≤100 mA 负载电流）、小型电磁阀等低压直流负载的通断控制； ✅ 电平转换与信号整形：在不同电压域间（如 3.3V MCU 控制 5V 外设）实现简易单向电平适配； ✅ 消费电子与家电：广泛见于打印机、机顶盒、智能插座、白色家电控制板等对成本、尺寸和可靠性要求较高的场合。 其 SOT-23 小型封装、±5% 电阻精度、低饱和压降（VCE(sat) ≤ 0.1 V @ IC = 10 mA）及高直流电流增益（hFE ≥ 160，测试条件 IC = 5 mA），确保了稳定开关性能与低功耗特性。注意：不适用于线性放大或高频（>10 MHz）开关场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS PNP 250MW TO236AB |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PDTA114ET,235 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 150mV @ 500µA， 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 30 @ 5mA，5V |
| 供应商器件封装 | SOT-23 (TO-236AB) |
| 其它名称 | 934031060235 |
| 功率-最大值 | 250mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 晶体管类型 | PNP - 预偏压 |
| 标准包装 | 10,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 1µA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 10k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 10k |
| 频率-跃迁 | - |
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