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FDC6312P产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FDC6312P由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDC6312P价格参考¥2.38-¥2.38。Fairchild SemiconductorFDC6312P封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列, Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 2.3A 700mW Surface Mount SuperSOT™-6。您可以下载FDC6312P参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDC6312P 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDC6312P是安森美(ON Semiconductor)推出的一款MOSFET阵列产品,内部集成两个N沟道MOSFET,采用紧凑的双回路设计,适用于空间受限的便携式电子设备。该器件常用于需要高效开关和低导通电阻的应用场景。 典型应用包括: 1. 电源管理:在电池供电设备中,如智能手机、平板电脑和可穿戴设备,用于电源开关、负载切换和电池保护电路,实现低功耗和高能效。 2. DC-DC转换器:作为同步整流或开关元件,用于升压(Boost)或降压(Buck)转换电路,提高电源转换效率。 3. 电机驱动与LED驱动:适用于小型直流电机控制和背光LED驱动,提供快速响应和稳定输出。 4. 信号切换与逻辑控制:在通信模块或接口电路中,用于信号通断控制,替代机械继电器,提升系统可靠性。 FDC6312P具有低阈值电压、低导通电阻(RDS(on))和高开关速度的特点,适合高频工作环境。其小型封装(如SC-70或SOT-363)有助于节省PCB空间,广泛应用于消费电子、工业控制和便携式医疗设备等领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET P-CH DUAL 20V SSOT-6MOSFET SSOT-6 P-CH DUAL |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 P 沟道(双) |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 2.3 A |
| Id-连续漏极电流 | 2.3 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDC6312PPowerTrench® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FDC6312P |
| PCN封装 | |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 0.96 W |
| Pd-功率耗散 | 960 mW |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 115 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 115 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 20 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 20 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 8 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 8 V |
| 上升时间 | 13 ns |
| 下降时间 | 13 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 467pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 7nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 115 毫欧 @ 2.3A,4.5V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356 |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 6-SSOT |
| 其它名称 | FDC6312P-ND |
| 典型关闭延迟时间 | 18 ns |
| 功率-最大值 | 700mW |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 单位重量 | 36 mg |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOT-23-6 细型,TSOT-23-6 |
| 封装/箱体 | SSOT-6 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 正向跨导-最小值 | 5.3 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 2.3A |
| 系列 | FDC6312P |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Dual |
| 零件号别名 | FDC6312P_NL |