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Datasheet下载- 型号： SI5935CDC-T1-GE3
- 制造商： Vishay
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SI5935CDC-T1-GE3产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI5935CDC-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI5935CDC-T1-GE3价格参考。VishaySI5935CDC-T1-GE3封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列， 2 个 P 沟道（双） Mosfet 阵列 20V 4A 3.1W 表面贴装 1206-8 ChipFET™。您可以下载SI5935CDC-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI5935CDC-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix的SI5935CDC-T1-GE3是一款双通道N沟道MOSFET阵列，广泛应用于各种电子电路中。以下是其主要应用场景： 1. 电源管理：该器件适用于开关电源、DC-DC转换器和负载开关等应用，能够高效地控制电流的通断，降低功耗并提高系统效率。 2. 电机驱动：在小型电机控制中，SI5935CDC-T1-GE3可以用作驱动器，实现对电机速度和方向的精准控制，适合用于消费电子、家用电器等领域。 3. 信号切换：在多路复用器或信号切换电路中，这款MOSFET阵列可以用来选择不同的信号路径，确保信号传输的稳定性和可靠性。 4. 电池保护：用于便携式设备的电池管理系统中，可防止过充、过放以及短路等问题，保障电池的安全使用。 5. 音频设备：在音频放大器或其他低噪声要求的应用中，该器件能提供较低的导通电阻（Rds(on)），从而减少失真并提升音质表现。 6. 数据通信：在网络交换机、路由器等通信设备中，作为信号隔离或线路保护元件，增强系统的抗干扰能力。 7. 汽车电子：可用于车载信息娱乐系统、LED照明控制及传感器接口等方面，满足汽车行业对高性能和高可靠性的需求。 总之，SI5935CDC-T1-GE3凭借其卓越的电气特性与紧凑封装形式，在众多需要高效功率转换和精确控制的场合发挥重要作用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET 2P-CH 20V 4A 1206-8MOSFET 20V 4A 3.1W |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | 2 个 P 沟道（双） |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 3.1 A |
| Id-连续漏极电流 | 3.1 A |
| 品牌 | Vishay SiliconixVishay / Siliconix |
| 产品手册 | http://www.vishay.com/doc?68965 |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI5935CDC-T1-GE3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SI5935CDC-T1-GE3SI5935CDC-T1-GE3 |
| Pd-PowerDissipation | 1.3 W |
| Pd-功率耗散 | 1.3 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 100 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 100 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 20 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 8 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 8 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 455pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 11nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 100 毫欧 @ 3.1A，4.5V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 1206-8 ChipFET™ |
| 其它名称 | SI5935CDC-T1-GE3CT |
| 功率-最大值 | 3.1W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-SMD，扁平引线 |
| 封装/箱体 | 1206-8 ChipFET |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 4A |
| 系列 | SI59xxxDx |
| 配置 | Dual |
| 零件号别名 | SI5935CDC-GE3 SIR814DP-T1-GE3 |
