Datasheet下载- 型号： SI1972DH-T1-GE3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI1972DH-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI1972DH-T1-GE3价格参考。VishaySI1972DH-T1-GE3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SI1972DH-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI1972DH-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI1972DH-T1-GE3 是一款双N沟道增强型MOSFET阵列器件，常用于需要高效、低电压开关控制的电子电路中。其主要应用场景包括： 1. 电源管理：适用于DC-DC转换器、负载开关和电池管理系统，因其低导通电阻（Rds(on)）和高效率特性，有助于降低功耗并提高系统能效。 2. 电机驱动：在小型电机或步进电机的驱动电路中，该器件可作为H桥结构中的开关元件，实现正反转和制动控制。 3. 负载开关与继电器替代：由于其双MOSFET结构，适合用于替代机械继电器，在工业自动化和消费类电子产品中实现快速、可靠的电子开关功能。 4. 便携式设备：广泛应用于笔记本电脑、平板、智能手机等便携设备中，用于电源路径管理、外设供电控制等场景。 5. 汽车电子：符合AEC-Q100标准（如SI1972DH-T1-GE3为汽车级版本），可用于车载充电系统、车身控制模块、LED照明驱动等应用。 6. 信号切换：在模拟/数字信号切换电路中，用于高速数据传输或多路复用控制。 该器件采用小型DFN封装，具备良好的热性能和空间利用率，适合高密度PCB设计。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET 2N-CH 30V 1.3A SC-70-6 |
| 产品分类 | FET - 阵列 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | 2 个 N 沟道（双） |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | SI1972DH-T1-GE3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.8V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 75pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 2.8nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 225 毫欧 @ 1.3A，10V |
| 供应商器件封装 | SC-70-6 （SOT-363） |
| 其它名称 | SI1972DH-T1-GE3CT |
| 功率-最大值 | 1.25W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 1.3A |
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