Datasheet下载- 型号： SI4966DY-T1-E3
- 制造商： Vishay
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI4966DY-T1-E3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI4966DY-T1-E3价格参考。VishaySI4966DY-T1-E3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SI4966DY-T1-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI4966DY-T1-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI4966DY-T1-E3 是一款包含多个MOSFET的阵列器件，适用于需要高效功率控制和管理的场景。其主要应用场景包括： 1. 电源管理：用于DC-DC转换器、电源开关和负载管理，适用于笔记本电脑、服务器和通信设备中的高效电源系统。 2. 电机驱动：常见于直流电机、步进电机的驱动电路，适用于工业自动化、机器人和电动工具等场合。 3. 负载开关与继电器替代：用于替代传统机械继电器，实现高速、低功耗的开关控制，适用于家电、汽车电子和工业控制系统。 4. 电池供电设备：如手持设备、无人机、便携式医疗设备，用于高效管理电池充放电及电源分配。 5. 汽车电子：用于车载电源系统、LED照明控制、电动窗和座椅等电机控制应用。 该器件集成多个MOSFET，有助于减少PCB空间、提升系统可靠性，并提供良好的热性能和电流处理能力。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET 2N-CH 20V 8SOIC |
| 产品分类 | FET - 阵列 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 N 沟道（双） |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | SI4966DY-T1-E3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 50nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 25 毫欧 @ 7.1A，4.5V |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 其它名称 | SI4966DY-T1-E3CT |
| 功率-最大值 | 2W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | - |
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