Datasheet下载- 型号： SI5513CDC-T1-E3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI5513CDC-T1-E3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI5513CDC-T1-E3价格参考。VishaySI5513CDC-T1-E3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SI5513CDC-T1-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI5513CDC-T1-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI5513CDC-T1-E3 是一款双通道 N 沟道增强型 MOSFET 阵列，广泛应用于需要高效开关和低功耗的场景。以下是其主要应用场景： 1. 电源管理 - 用于 DC-DC 转换器、负载开关和电压调节模块（VRM），提供高效的功率传输。 - 在电池供电设备中，作为开关元件实现低静态电流和高效率。 2. 电机控制 - 适用于小型直流电机或步进电机的驱动电路，通过 PWM 控制实现速度调节。 - 在多路电机控制系统中，利用双通道设计减少组件数量并简化电路布局。 3. 信号切换 - 用于音频信号切换、数据通信线路切换等场景，确保低导通电阻以减少信号失真。 - 在多路复用器中，作为开关阵列实现信号路径的选择。 4. 便携式电子设备 - 应用于智能手机、平板电脑、笔记本电脑等便携设备中的电源管理单元（PMU）。 - 提供快速开关性能和低功耗特性，延长电池寿命。 5. 固态继电器 - 替代传统机械继电器，用于工业自动化、家用电器和汽车电子中的开关控制。 - 其紧凑的设计和高可靠性适合空间受限的应用环境。 6. 保护电路 - 用作过流保护、短路保护和热插拔控制电路中的关键元件。 - 利用其低导通电阻（Rds(on)）降低功耗并提高系统稳定性。 7. 汽车电子 - 在车载信息娱乐系统、LED 照明和传感器接口中，提供高效且稳定的开关功能。 - 符合车规级要求，适应恶劣的工作环境。 SI5513CDC-T1-E3 的双通道设计和优异的电气特性使其成为多种应用的理想选择，尤其适合需要高集成度和高性能的现代电子设备。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8MOSFET 20V 4.0/3.7A 3.1W 55/150mohm @ 4.5V |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | N 和 P 沟道 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 4 A |
| Id-连续漏极电流 | 4 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | http://www.vishay.com/doc?68806 |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI5513CDC-T1-E3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SI5513CDC-T1-E3SI5513CDC-T1-E3 |
| Pd-PowerDissipation | 3.1 W |
| Pd-功率耗散 | 3.1 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 45 mOhms, 120 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 45 mOhms, 120 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 20 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 12 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 12 V |
| 上升时间 | 9 ns, 40 ns |
| 下降时间 | 10 ns, 9 ns at N Channel, 12 ns, 40 ns at P Channel |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 285pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 4.2nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 55 毫欧 @ 4.4A，4.5V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 1206-8 ChipFET™ |
| 典型关闭延迟时间 | 14 ns, 15 ns |
| 功率-最大值 | 3.1W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-SMD，扁平引线 |
| 封装/箱体 | 1206-8 ChipFET |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N and P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 4A，3.7A |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Dual |
| 零件号别名 | SI5513CDC-E3 |
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