Datasheet下载- 型号： IS61LV51216-10TLI
- 制造商： ISSI
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IS61LV51216-10TLI由ISSI设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IS61LV51216-10TLI价格参考。ISSIIS61LV51216-10TLI封装/规格：存储器， SRAM - 异步 存储器 IC 8Mb （512K x 16） 并联 10ns 44-TSOP II。您可以下载IS61LV51216-10TLI参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IS61LV51216-10TLI 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IS61LV51216-10TLI是ISSI（Integrated Silicon Solution Inc.）推出的一款高速静态随机存取存储器（SRAM），容量为512K × 16位（即8兆比特），访问速度为10纳秒，采用TQFP封装，工作温度范围为工业级（-40°C 至 +85°C），适用于严苛环境。 该器件主要应用于对数据读写速度和稳定性要求较高的场景。常见应用包括网络通信设备（如路由器、交换机）中的数据缓存，工业控制系统的实时数据处理，测试与测量仪器中的高速数据采集缓冲，以及医疗电子设备中需要可靠存储的场合。此外，因其高可靠性和宽温特性，也广泛用于军工、航空航天及车载电子等对元器件品质要求严格的领域。 IS61LV51216-10TLI支持低功耗运行和CMOS/TTL电平兼容，便于集成到多种主控系统中，常作为微处理器、DSP或FPGA的外部高速缓存使用，提升系统整体响应性能。其非易失性虽不如闪存，但无需刷新机制，简化了电路设计，适合持续读写操作的应用环境。 综上，该型号SRAM凭借高速、稳定和工业级可靠性，广泛服务于通信、工业、医疗及高端嵌入式系统等领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC)半导体 |
| 描述 | IC SRAM 8MBIT 10NS 44TSOP静态随机存取存储器 8Mb 512Kx16 10ns Async 静态随机存取存储器 3.3v |
| 产品分类 | 存储器集成电路 - IC |
| 品牌 | ISSI |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 内存,静态随机存取存储器,ISSI IS61LV51216-10TLI- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IS61LV51216-10TLI |
| 产品种类 | 静态随机存取存储器 |
| 供应商器件封装 | 44-TSOP II |
| 包装 | 托盘 |
| 商标 | ISSI |
| 存储器类型 | SRAM - 异步 |
| 存储容量 | 8 Mbit |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Tray |
| 封装/外壳 | 44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽） |
| 封装/箱体 | TSOP-44 |
| 工作温度 | -40°C ~ 85°C |
| 工厂包装数量 | 135 |
| 接口 | Parallel |
| 最大工作温度 | + 85 C |
| 最大工作电流 | 110 mA |
| 最小工作温度 | - 40 C |
| 标准包装 | 135 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 3.135 V ~ 3.6 V |
| 电源电压-最大 | 3.6 V |
| 电源电压-最小 | 3.135 V |
| 类型 | Asynchronous |
| 系列 | IS61LV51216 |
| 组织 | 512 k x 16 |
| 访问时间 | 10 ns |
| 速度 | 10ns |
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