ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > CSD25310Q2
Datasheet下载- 型号： CSD25310Q2
- 制造商： Texas Instruments
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供CSD25310Q2由Texas Instruments设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CSD25310Q2价格参考￥1.00-￥2.87。Texas InstrumentsCSD25310Q2封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， P 沟道 20V 20A（Ta） 2.9W（Ta） 6-WSON（2x2）。您可以下载CSD25310Q2参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CSD25310Q2 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
CSD25310Q2是德州仪器（Texas Instruments）推出的一款N沟道MOSFET，属于低电压、小功率MOSFET器件，广泛应用于便携式电子设备和电源管理领域。其主要应用场景包括： 1. 电池供电设备：由于CSD25310Q2具有低导通电阻（RDS(on)）和低栅极电荷，适合用于智能手机、平板电脑、可穿戴设备等电池供电产品中的负载开关或电源路径管理，有助于降低功耗，延长电池续航时间。 2. DC-DC转换器：在同步降压（Buck）或升压（Boost）转换电路中，该MOSFET可用作整流开关或同步整流管，提高电源转换效率，适用于小型电源模块和板载电源系统。 3. 电机驱动：在微型直流电机或步进电机的驱动电路中，作为开关元件控制电流通断，常见于玩具、小型家电和便携式工具中。 4. 热插拔与电源开关应用：凭借其快速开关特性和良好的热稳定性，可用于实现安全的热插拔功能，防止电流冲击，保护后级电路。 5. LED驱动电路：在低功率LED照明或背光控制中，作为开关调节LED电流，实现亮度控制。 综上，CSD25310Q2凭借小封装（如SON-6）、高效能和高可靠性，特别适用于空间受限且注重能效的消费类电子产品和工业控制设备中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET P-CH 20V 48A 6SONMOSFET 20-V P-CH NexFET Pwr MOSFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | - 9.6 A |
| Id-连续漏极电流 | - 9.6 A |
| 品牌 | Texas Instruments |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Texas Instruments CSD25310Q2NexFET™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | CSD25310Q2 |
| Pd-PowerDissipation | 2.9 W |
| Pd-功率耗散 | 2.9 W |
| Qg-GateCharge | 3.6 nC |
| Qg-栅极电荷 | 3.6 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 19.9 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 23.9 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 20 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 20 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 8 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | - 8 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | - 0.85 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | - 850 mV |
| 上升时间 | 15 ns |
| 下降时间 | 5 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 655pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 4.7nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 23.9 毫欧 @ 5A， 4.5V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 6-SON（2x2） |
| 典型关闭延迟时间 | 15 ns |
| 制造商产品页 | http://www.ti.com/general/docs/suppproductinfo.tsp?distId=10&orderablePartNumber=CSD25310Q2 |
| 功率-最大值 | 2.9W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | Texas Instruments |
| 商标名 | NexFET |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-WDFN 裸露焊盘 |
| 封装/箱体 | WSON-6 FET |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 85 C |
| 最小工作温度 | - 40 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 正向跨导-最小值 | 34 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 20A （Ta） |
| 系列 | CSD25310Q2 |
| 配置 | Single Channel |
- 创新在线价格指数发布
- ICGOO商城11月热搜型号盘点
- ICGOO商城10月热搜型号盘点
- 【活动已结束】这个双十一，ICGOO与你在“1”起
- ICGOO商城9月热搜型号盘点
- 【行业热点】智能家居会成为我们的刚需吗？
- ICGOO商城8月热搜型号盘点
- 【福利】ICGOO迎新季，新客注册下单享好礼，更有倍捷连接器多重惊喜哟~
