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Datasheet下载- 型号： SIZ918DT-T1-GE3
- 制造商： Vishay
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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SIZ918DT-T1-GE3产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SIZ918DT-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SIZ918DT-T1-GE3价格参考。VishaySIZ918DT-T1-GE3封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列， Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 16A, 28A 29W, 100W Surface Mount 8-PowerPair® (6x5)。您可以下载SIZ918DT-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SIZ918DT-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix的SIZ918DT-T1-GE3是一款N沟道MOSFET阵列器件，采用双芯片封装，具有低导通电阻和高效率特性。该产品广泛应用于需要高效能、小尺寸和低功耗的电源管理场景。 其典型应用场景包括：便携式电子设备（如智能手机、平板电脑和笔记本电脑）中的电源开关与负载管理；电池供电系统中的电源分配与保护电路；DC-DC转换器中用于同步整流，提升转换效率；以及电机驱动、LED驱动和热插拔控制等中低功率电源控制场合。 SIZ918DT-T1-GE3具备优良的热性能和紧凑的PowerPAK SO-8封装，适合高密度PCB布局，特别适用于空间受限但对能效要求较高的消费类电子产品和工业控制设备。同时，其高抗噪能力和稳定的工作特性也使其可用于各类电源开关和信号切换应用，确保系统运行的可靠性与稳定性。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET 2N-CH 30V 16A POWERPAIRMOSFET 30V 16A/28A 29/100W 12mohm / 3.7mohm@10V |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 N 通道（半桥） |
| Id-连续漏极电流 | 28 A |
| 品牌 | Vishay SiliconixVishay / Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SIZ918DT-T1-GE3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SIZ918DT-T1-GE3SIZ918DT-T1-GE3 |
| Pd-PowerDissipation | 100 W |
| Pd-功率耗散 | 100 W |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 12 mOhms |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 790pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 21nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 12 毫欧 @ 13.8A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 6-PowerPair™ |
| 其它名称 | SIZ918DT-T1-GE3CT |
| 功率-最大值 | 29W， 100W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 12 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-PowerPair™ |
| 封装/箱体 | PowerPAIR-8 6x5 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 标准包装 | 1 |
| 汲极/源极击穿电压 | 30 V |
| 漏极连续电流 | 28 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/product-highlights/cn/zh/vishay-powerpair/2826 |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 16A， 28A |
| 系列 | SIZxxxDT |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Dual |
| 零件号别名 | SIZ918DT-GE3 |
