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FDC3601N产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FDC3601N由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDC3601N价格参考。Fairchild SemiconductorFDC3601N封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列, 2 个 N 沟道(双) Mosfet 阵列 100V 1A 700mW 表面贴装 SuperSOT™-6。您可以下载FDC3601N参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDC3601N 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDC3601N 是由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的一款晶体管阵列,具体为 FET、MOSFET 阵列。该型号具有低导通电阻和高开关速度的特点,适用于多种应用场景。 1. 电源管理 FDC3601N 常用于电源管理电路中,特别是在需要高效开关操作的场合。例如,在 DC-DC 转换器中,它可以作为同步整流器的一部分,帮助提高转换效率,减少功率损耗。其低导通电阻特性使得它在高频开关应用中表现出色,能够有效降低发热,提升系统的整体性能。 2. 电机驱动 该器件也广泛应用于电机驱动领域,尤其是小型直流电机或步进电机的控制。通过精确控制电流和电压,FDC3601N 可以实现对电机的高效驱动,确保电机运行平稳且能耗较低。此外,它的快速开关特性有助于减少电机启动时的冲击电流,延长电机寿命。 3. 负载开关 在便携式电子设备中,FDC3601N 可用作负载开关,控制电源与负载之间的连接。它能够在短时间内迅速响应,确保设备在待机或关机状态下几乎不消耗电能,从而延长电池续航时间。同时,它还可以提供过流保护功能,防止因电流过大而损坏其他电路元件。 4. 信号切换 FDC3601N 还适用于信号切换应用,如多路复用器或多路选择器。它可以在不同的输入信号之间快速切换,确保信号传输的准确性和稳定性。由于其低导通电阻和低电容特性,它在高速信号切换中表现出色,减少了信号失真和延迟。 5. 消费电子 在消费电子产品中,FDC3601N 的应用也非常广泛。例如,在智能手机、平板电脑等设备中,它可以用作电源管理芯片的组成部分,帮助优化电池使用效率。此外,它还可以用于音频放大器中的开关控制,确保音质清晰且功耗低。 总之,FDC3601N 凭借其低导通电阻、高开关速度和可靠性,适用于多种应用场景,尤其在电源管理、电机驱动、负载开关和信号切换等领域表现出色。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH DUAL 100V SSOT-6MOSFET Dual N-Ch 100V Spec Power Trench |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 N 沟道(双) |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 1 A |
| Id-连续漏极电流 | 1 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDC3601NPowerTrench® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FDC3601N |
| PCN封装 | |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 0.96 W |
| Pd-功率耗散 | 960 mW |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 500 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 500 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 100 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 4 ns |
| 下降时间 | 4 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 153pF @ 50V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 5nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 500 毫欧 @ 1A,10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 6-SSOT |
| 其它名称 | FDC3601N-ND |
| 典型关闭延迟时间 | 11 ns |
| 功率-最大值 | 700mW |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 单位重量 | 36 mg |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOT-23-6 细型,TSOT-23-6 |
| 封装/箱体 | SSOT-6 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 正向跨导-最小值 | 3.6 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 1A |
| 系列 | FDC3601N |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Dual |
| 零件号别名 | FDC3601N_NL |