Datasheet下载- 型号： SI5902BDC-T1-E3
- 制造商： Vishay
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI5902BDC-T1-E3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI5902BDC-T1-E3价格参考。VishaySI5902BDC-T1-E3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SI5902BDC-T1-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI5902BDC-T1-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI5902BDC-T1-E3 是一款双N沟道增强型MOSFET阵列，常用于需要高效、高集成度开关控制的电子电路中。该器件采用小型封装，适合对空间要求较高的应用。 其主要应用场景包括： 1. 电源管理：用于DC-DC转换器、负载开关和电源分配系统，实现高效的电能控制。 2. 电机驱动：适用于小型电机或步进电机的驱动电路，提供快速开关响应。 3. 电池供电设备：如笔记本电脑、平板电脑和手持设备，用于电源控制和节能设计。 4. 负载开关与热插拔控制：在服务器和通信设备中，用于控制外围设备的电源通断。 5. 工业控制与自动化：用于PLC、传感器模块和继电器替代方案，提高系统可靠性。 6. 汽车电子：如车载充电系统、LED照明控制和车身控制模块。 该MOSFET阵列具备低导通电阻、高开关速度和良好热性能，适合高频开关和节能设计，是多种电子系统中理想的功率开关元件。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET 2N-CH 30V 4A 1206-8 |
| 产品分类 | FET - 阵列 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 N 沟道（双） |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | SI5902BDC-T1-E3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 220pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 7nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 65 毫欧 @ 3.1A，10V |
| 供应商器件封装 | 1206-8 ChipFET™ |
| 功率-最大值 | 3.12W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SMD，扁平引线 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 4A |
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