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  • 型号: DDTC115EUA-7-F
  • 制造商: Diodes Inc.
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
数量阶梯 香港交货 国内含税
+xxxx $xxxx ¥xxxx

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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供DDTC115EUA-7-F由Diodes Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DDTC115EUA-7-F价格参考。Diodes Inc.DDTC115EUA-7-F封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 单,预偏置, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount SOT-323。您可以下载DDTC115EUA-7-F参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有DDTC115EUA-7-F 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323

产品分类

晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式

品牌

Diodes Incorporated

数据手册

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产品图片

产品型号

DDTC115EUA-7-F

PCN设计/规格

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rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

RoHS指令信息

http://diodes.com/download/4349

产品系列

-

不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

300mV @ 250µA, 5mA

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

82 @ 5mA,5V

产品目录绘图

产品目录页面

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供应商器件封装

SOT-323

其它名称

DDTC115EUA-FDIDKR

功率-最大值

200mW

包装

Digi-Reel®

安装类型

表面贴装

封装/外壳

SC-70,SOT-323

晶体管类型

NPN - 预偏压

标准包装

1

电压-集射极击穿(最大值)

50V

电流-集电极(Ic)(最大值)

100mA

电流-集电极截止(最大值)

500nA

电阻器-发射极基底(R2)(Ω)

100k

电阻器-基底(R1)(Ω)

100k

频率-跃迁

250MHz

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