ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 > KSA992FBU
Datasheet下载- 型号： KSA992FBU
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供KSA992FBU由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 KSA992FBU价格参考。Fairchild SemiconductorKSA992FBU封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 单， 双极 (BJT) 晶体管 PNP 120V 50mA 100MHz 500mW 通孔 TO-92-3。您可以下载KSA992FBU参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有KSA992FBU 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
KSA992FBU 是由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的一款双极性晶体管（BJT），属于单晶体管类型。该型号广泛应用于需要高性能开关和信号放大的场合，以下是其主要应用场景： 1. 电源管理：KSA992FBU 适用于各种电源管理电路中，例如直流-直流转换器、线性稳压器等。由于其具备良好的电流增益特性和耐压能力，能够有效控制负载电流，确保稳定供电。 2. 音频放大器：作为音频设备中的关键组件之一，这款晶体管可以用于前置放大或功率放大级，提供高保真度的声音输出，支持高质量的音效处理。 3. 电机驱动与控制：在小型电机驱动电路中，KSA992FBU 可以实现对电机转速及方向的有效调控，常见于家用电器、玩具以及自动化设备等领域。 4. 开关电路：利用其快速开关特性，该器件非常适合构建逻辑电平转换器、继电器驱动器以及其他类型的数字接口电路。 5. 信号调节与传输：在通信系统或传感器网络中，用作信号增强器来提高弱电信号强度，保证数据准确无误地传递。 6. 保护电路设计：可用于过流保护、短路保护等功能模块的设计，提升整体系统的安全性和可靠性。 总之，KSA992FBU 凭借其出色的电气性能，在消费电子、工业控制、汽车电子等多个领域均能找到其身影。具体应用时需根据实际需求选择合适的外围电路配置，以充分发挥其优势。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANSISTOR PNP 120V 50MA TO-92两极晶体管 - BJT PNP Epitaxial Sil |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,Fairchild Semiconductor KSA992FBU- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | KSA992FBU |
| PCN设计/规格 | |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 300mV @ 1mA，10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 300 @ 1mA，6V |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | TO-92-3 |
| 功率-最大值 | 500mW |
| 包装 | 散装 |
| 单位重量 | 179 mg |
| 发射极-基极电压VEBO | - 5 V |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 增益带宽产品fT | 100 MHz |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Bulk |
| 封装/外壳 | TO-226-3、TO-92-3 标准主体 |
| 封装/箱体 | TO-92 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | PNP |
| 晶体管类型 | PNP |
| 最大功率耗散 | 0.5 W |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 0.05 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 120V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 50mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 1µA |
| 直流电流增益hFE最大值 | 800 |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 200 |
| 系列 | KSA992 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | - 120 V |
| 集电极—基极电压VCBO | - 120 V |
| 集电极—射极饱和电压 | - 90 mV |
| 集电极连续电流 | - 0.05 A |
| 频率-跃迁 | 100MHz |
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