Datasheet下载- 型号： SI4804CDY-T1-GE3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI4804CDY-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI4804CDY-T1-GE3价格参考。VishaySI4804CDY-T1-GE3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SI4804CDY-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI4804CDY-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI4804CDY-T1-GE3 是一款双通道 N 沟道增强型 MOSFET 阵列，广泛应用于各种电子电路中。以下是其主要应用场景： 1. 电源管理 - 负载开关：用于控制负载的开启和关闭，实现低导通电阻（Rds(on)），降低功耗。 - DC-DC 转换器：作为同步整流器或开关管，用于提高效率和减小电路尺寸。 - 电池保护：在电池管理系统中，用于防止过流、短路或反向电流。 2. 信号切换 - 音频信号切换：在音频设备中切换不同的输入源，保持低噪声和高保真度。 - 数据信号切换：用于 USB、UART 或其他高速数据接口的信号路径切换。 3. 电机控制 - 小型直流电机驱动：通过 PWM 信号控制电机速度和方向。 - H 桥电路：与其他 MOSFET 配合使用，实现双向电机驱动。 4. 保护电路 - 过流保护：利用 MOSFET 的快速响应特性，切断异常电流路径。 - 热插拔保护：防止设备在带电插入时产生浪涌电流。 5. 消费电子产品 - 智能手机和平板电脑：用于内部电源管理和信号切换。 - 便携式设备：如蓝牙耳机、智能手表等，提供高效的小型化解决方案。 6. 工业应用 - 传感器接口：用于控制传感器的供电或信号传输。 - 自动化设备：在 PLC 或继电器替代方案中，实现快速开关功能。 特性优势 - 低导通电阻：减少功率损耗，提升效率。 - 小型封装：节省 PCB 空间，适合紧凑设计。 - 高可靠性：满足工业级和消费级应用需求。 综上所述，SI4804CDY-T1-GE3 在电源管理、信号切换、电机控制、保护电路以及消费电子和工业领域中均有广泛应用，是一款高性能的 MOSFET 阵列产品。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOICMOSFET 30V 8.0A 3.1W 22mohm @ 10V |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | 2 个 N 沟道（双） |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 7.1 A |
| Id-连续漏极电流 | 7.1 A |
| 品牌 | Vishay SiliconixVishay / Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI4804CDY-T1-GE3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SI4804CDY-T1-GE3SI4804CDY-T1-GE3 |
| Pd-PowerDissipation | 2 W |
| Pd-功率耗散 | 2 W |
| Qg-栅极电荷 | 11 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 22 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 22 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 13 ns |
| 下降时间 | 9 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 865pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 23nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 22 毫欧 @ 7.5A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 其它名称 | SI4804CDY-T1-GE3DKR |
| 典型关闭延迟时间 | 19 ns |
| 功率-最大值 | 3.1W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 封装/箱体 | SOIC-8 Narrow |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 8A |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Dual Dual Drain |
| 零件号别名 | SI4804CDY-GE3 |
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