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  • 型号: BSP52T1G
  • 制造商: ON Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供BSP52T1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BSP52T1G价格参考。ON SemiconductorBSP52T1G封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 单, 双极 (BJT) 晶体管 NPN - 达林顿 80V 1A 800mW 表面贴装 SOT-223。您可以下载BSP52T1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BSP52T1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

TRANS NPN DARL 1A 80V SOT223达林顿晶体管 1A 80V Bipolar Power NPN

产品分类

晶体管(BJT) - 单路分离式半导体

品牌

ON Semiconductor

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,达林顿晶体管,ON Semiconductor BSP52T1G-

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产品型号

BSP52T1G

PCN设计/规格

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不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

1.3V @ 500µA, 500mA

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

2000 @ 500mA,10V

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产品种类

达林顿晶体管

供应商器件封装

SOT-223

其它名称

BSP52T1GOSDKR

功率-最大值

800mW

功率耗散

0.8 W

包装

Digi-Reel®

发射极-基极电压VEBO

5 V

商标

ON Semiconductor

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

TO-261-4,TO-261AA

封装/箱体

SOT-223-4

工厂包装数量

1000

晶体管极性

NPN

晶体管类型

NPN - 达林顿

最大工作温度

+ 150 C

最大直流电集电极电流

1 A

最小工作温度

- 65 C

标准包装

1

电压-集射极击穿(最大值)

80V

电流-集电极(Ic)(最大值)

1A

电流-集电极截止(最大值)

10µA

直流集电极/BaseGainhfeMin

1000, 2000

系列

BSP52

配置

Single

集电极—发射极最大电压VCEO

80 V

集电极—基极电压VCBO

90 V

集电极连续电流

1 A

频率-跃迁

-

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