ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 > 2N7002DW-TP
Datasheet下载- 型号： 2N7002DW-TP
- 制造商： MCC
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供2N7002DW-TP由MCC设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2N7002DW-TP价格参考￥0.64-￥2.63。MCC2N7002DW-TP封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列， 2 个 N 沟道（双） Mosfet 阵列 60V 115mA 200mW 表面贴装 SOT-363。您可以下载2N7002DW-TP参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有2N7002DW-TP 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Micro Commercial Co（MCC）生产的2N7002DW-TP是一款表面贴装的N沟道MOSFET阵列器件，内部集成两个相同的2N7002型MOSFET，属于晶体管-FET，MOSFET-阵列类别。该器件广泛应用于中小功率开关和信号控制场合。 典型应用场景包括：便携式电子设备中的电源管理开关，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的负载开关或电池切换电路；在消费类电子产品中用于LED驱动、继电器或蜂鸣器的驱动控制；工业控制模块中作为逻辑电平转换或小功率电机驱动的开关元件；还可用于接口电路中的信号切换与隔离，如I²C、UART等通信线路的电平转换与保护。 由于采用SOT-363（SC-70）小型封装，2N7002DW-TP具有体积小、功耗低的优点，适合高密度PCB布局，广泛用于空间受限的便携设备。其栅极阈值电压适中（约1V～2.5V），可直接由3.3V或5V逻辑信号驱动，兼容性强。同时，双MOSFET结构设计有助于简化电路布局，减少元件数量，提高系统可靠性。 总体而言，2N7002DW-TP适用于需要高效、紧凑开关解决方案的低压直流电路，是现代电子设备中常用的通用型MOSFET阵列器件。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET 2N-CH 60V 115MA SOT-363MOSFET Dual N-CH 60V 115mA |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | 2 个 N 沟道（双） |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 115 mA |
| Id-连续漏极电流 | 115 mA |
| 品牌 | Micro Commercial Co |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Micro Commercial Components (MCC) 2N7002DW-TP- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | 2N7002DW-TP |
| Pd-PowerDissipation | 200 mW |
| Pd-功率耗散 | 200 mW |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 13.5 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 13.5 Ohms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 60 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 50pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | - |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 7.5 欧姆 @ 50mA，5V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=24932 |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | SOT-363 |
| 其它名称 | 2N7002DW-TPDKR |
| 典型关闭延迟时间 | 11 ns |
| 功率-最大值 | 200mW |
| 功率耗散 | 200 mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | Micro Commercial Components (MCC) |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 13.5 Ohms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 封装/箱体 | SOT-363-6 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 80 ms |
| 汲极/源极击穿电压 | 60 V |
| 漏极连续电流 | 115 mA |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 115mA |
| 系列 | 2N7002 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Dual |
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