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  • 型号: MBD330DWT1G
  • 制造商: ON Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供MBD330DWT1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MBD330DWT1G价格参考。ON SemiconductorMBD330DWT1G封装/规格:二极管 - 射频, RF Diode Schottky - 2 Independent 30V 120mW SC-88/SC70-6/SOT-363。您可以下载MBD330DWT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MBD330DWT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

DIODE SCHOTTKY DUAL 30V SOT-363肖特基二极管与整流器 30V 120mW Dual Isolated

产品分类

RF 二极管分离式半导体

品牌

ON Semiconductor

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

二极管与整流器,肖特基二极管与整流器,ON Semiconductor MBD330DWT1G-

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产品型号

MBD330DWT1G

不同 If、F时的电阻

-

不同 Vr、F时的电容

1.5pF @ 15V,1MHz

二极管类型

肖特基 - 2 个独立式

产品

Schottky Diodes

产品种类

肖特基二极管与整流器

供应商器件封装

SC-88/SC70-6/SOT-363

功率耗散(最大值)

120mW

包装

带卷 (TR)

商标

ON Semiconductor

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

6-TSSOP,SC-88,SOT-363

封装/箱体

SC-88

峰值反向电压

30 V

工作温度范围

- 55 C to + 125 C

工厂包装数量

3000

技术

Silicon

最大反向漏泄电流

0.2 uA at 25 V

最大工作温度

+ 125 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

3,000

正向电压下降

0.6 V at 0.01 A

正向连续电流

0.01 A

电压-峰值反向(最大值)

30V

电流-最大值

-

系列

MBD330DW

配置

Dual Anti-Parallel

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