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Datasheet下载- 型号： IRF9952TRPBF
- 制造商： International Rectifier
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF9952TRPBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF9952TRPBF价格参考￥1.43-￥1.56。International RectifierIRF9952TRPBF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRF9952TRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRF9952TRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies（英飞凌科技）的IRF9952TRPBF是一款双P沟道功率MOSFET阵列器件，广泛应用于需要高效电源管理和开关控制的场景。其主要应用场景包括： 1. 电源管理系统：适用于笔记本电脑、服务器和通信设备中的DC-DC转换器、负载开关及电池管理系统，支持高效率与低功耗设计。 2. 电机驱动电路：在直流电机或步进电机的H桥驱动中，该器件可实现双向控制与制动功能，适用于工业自动化和机器人系统。 3. 负载开关与热插拔控制：用于服务器和存储设备中，实现对硬盘、模块等外设的电源控制，防止启动冲击电流并提供过流保护。 4. 汽车电子系统：如车身控制模块、车灯控制系统和车载充电器中，满足汽车环境对可靠性和温度范围的要求。 5. 消费类电子产品：用于智能家电、UPS不间断电源等产品中，提升能效并减小电路体积。 该器件采用节省空间的封装形式，适合表面贴装工艺，便于大批量生产。由于其集成度高，可减少外围元件数量，提高系统稳定性。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N+P 30V 2.3A 8-SOICMOSFET MOSFT DUAL N/PCh 30V 3.5A |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | N 和 P 沟道 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 3.5 A |
| Id-连续漏极电流 | 3.5 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRF9952TRPBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRF9952TRPBF |
| Pd-PowerDissipation | 2 W |
| Pd-功率耗散 | 2 W |
| Qg-GateCharge | 6.9 nC |
| Qg-栅极电荷 | 6.9 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 150 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 150 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 190pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 14nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 100 毫欧 @ 2.2A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 其它名称 | IRF9952PBFDKR |
| 功率-最大值 | 2W |
| 功率耗散 | 2 W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 150 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 封装/箱体 | SOIC-8 |
| 工厂包装数量 | 4000 |
| 晶体管极性 | N and P-Channel |
| 栅极电荷Qg | 6.9 nC |
| 标准包装 | 1 |
| 汲极/源极击穿电压 | 30 V |
| 漏极连续电流 | 3.5 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 3.5A，2.3A |
| 配置 | Dual |
| 闸/源击穿电压 | 20 V |
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