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  • 型号: FDMC6679AZ
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供FDMC6679AZ由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDMC6679AZ价格参考。Fairchild SemiconductorFDMC6679AZ封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 P 沟道 30V 11.5A(Ta),20A(Tc) 2.3W(Ta),41W(Tc) 8-MLP(3.3x3.3)。您可以下载FDMC6679AZ参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDMC6679AZ 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

MOSFET P-CH 30V POWER33MOSFET -30V P-Channel Power Trench

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET P 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

- 20 A

Id-连续漏极电流

- 20 A

品牌

Fairchild Semiconductor

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDMC6679AZPowerTrench®

数据手册

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产品型号

FDMC6679AZ

PCN组件/产地

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Pd-PowerDissipation

41 W

Pd-功率耗散

41 W

Qg-GateCharge

37 nC

Qg-栅极电荷

37 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

10 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

10 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

- 30 V

Vds-漏源极击穿电压

- 30 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

25 V

Vgs-栅源极击穿电压

25 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

- 1.8 V

Vgsth-栅源极阈值电压

- 1.8 V

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

3V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

3970pF @ 15V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

91nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

10 毫欧 @ 11.5A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

Power33

其它名称

FDMC6679AZ-ND
FDMC6679AZFSTR

功率-最大值

2.3W

包装

带卷 (TR)

单位重量

210 mg

商标

Fairchild Semiconductor

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

6-MLP,Power33

封装/箱体

MLP-8 3.3x3.3

工厂包装数量

3000

晶体管极性

P-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

3,000

正向跨导-最小值

46 S

漏源极电压(Vdss)

30V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

11.5A

系列

FDMC6679AZ

配置

Single

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