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FDG8842CZ产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FDG8842CZ由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDG8842CZ价格参考¥1.26-¥1.26。Fairchild SemiconductorFDG8842CZ封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列, N 和 P 沟道 Mosfet 阵列 30V,25V 750mA,410mA 300mW 表面贴装 SC-70-6。您可以下载FDG8842CZ参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDG8842CZ 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDG8842CZ是ON Semiconductor(安森美半导体)生产的晶体管阵列,具体属于FET(场效应晶体管)、MOSFET(金属氧化物场效应晶体管)类别。该型号的应用场景主要集中在需要高效开关和低功耗的电路设计中。以下是其主要应用场景: 1. 电源管理: - FDG8842CZ常用于电源管理电路中,如DC-DC转换器、线性稳压器等。它能够提供高效的开关功能,减少能量损耗,提高电源转换效率。 2. 负载开关: - 在便携式电子设备中,如智能手机、平板电脑和笔记本电脑,FDG8842CZ可以作为负载开关使用,控制不同模块的供电,实现快速响应和低待机功耗。 3. 电机驱动: - 适用于小型电机驱动应用,如风扇、泵和其他小型机电设备。FDG8842CZ的低导通电阻(Rds(on))有助于降低发热,延长设备使用寿命。 4. 信号切换: - 在通信设备和数据传输系统中,FDG8842CZ可用于信号切换,确保信号的可靠传输。其快速开关特性使得它可以处理高速信号,减少信号延迟。 5. 电池管理系统: - 在电池管理系统(BMS)中,FDG8842CZ可用于保护电池免受过充、过放和短路等异常情况的影响。它能够在检测到异常时迅速切断电流路径,保障电池安全。 6. 消费电子产品: - 广泛应用于各种消费电子产品中,如智能手表、智能家居设备等。其紧凑的封装形式和低功耗特性使其非常适合这些对空间和能效有严格要求的产品。 7. 工业自动化: - 在工业控制系统中,FDG8842CZ可用于驱动传感器、执行器和其他外围设备。其高可靠性确保了系统的稳定运行。 总之,FDG8842CZ凭借其低导通电阻、快速开关速度和紧凑封装等特点,在多种应用场景中表现出色,尤其适合需要高效、低功耗和高可靠性的电路设计。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N/P-CH 30V/-25V SC70-6MOSFET Q1:30V/Q2: -25V Cmpl PowerTrench MOSFET |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | N 和 P 沟道 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 750 mA |
| Id-连续漏极电流 | 750 mA |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDG8842CZPowerTrench® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FDG8842CZ |
| PCN封装 | |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 360 mW |
| Pd-功率耗散 | 360 mW |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 400 mOhms at 4.5 V at N Channel, 1100 mOhms at 4.5 V at P Channel |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 400 mOhms, 1.1 Ohms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V, 25 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V, - 25 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 12 V, - 8 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 12 V, - 8 V |
| 上升时间 | 1 nS, 16 nS |
| 下降时间 | 1 nS, 16 nS |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 120pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 1.44nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 400 毫欧 @ 750mA,4.5V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | SC-70-6 |
| 其它名称 | FDG8842CZDKR |
| 典型关闭延迟时间 | 9 nS, 35 nS |
| 功率-最大值 | 300mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 单位重量 | 28 mg |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 |
| 封装/箱体 | SC-70-6 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N and P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V,25V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 750mA,410mA |
| 系列 | FDG8842CZ |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Complementary |