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  • 型号: SI5904DC-T1-E3
  • 制造商: Vishay
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SI5904DC-T1-E3产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供SI5904DC-T1-E3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI5904DC-T1-E3价格参考。VishaySI5904DC-T1-E3封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列, Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 3.1A 1.1W Surface Mount 1206-8 ChipFET™。您可以下载SI5904DC-T1-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SI5904DC-T1-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET 2N-CH 20V 3.1A 1206-8MOSFET 20V 4.2A 2.1W

产品分类

FET - 阵列分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

2 个 N 沟道(双)

Id-ContinuousDrainCurrent

3.1 A

Id-连续漏极电流

3.1 A

品牌

Vishay / SiliconixVishay Siliconix

产品手册

http://www.vishay.com/doc?71065

产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI5904DC-T1-E3TrenchFET®

数据手册

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产品型号

SI5904DC-T1-E3SI5904DC-T1-E3

Pd-PowerDissipation

1.1 W

Pd-功率耗散

1.1 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

75 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

75 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

20 V

Vds-漏源极击穿电压

20 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 12 V

Vgs-栅源极击穿电压

12 V

上升时间

35 ns

下降时间

35 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

1.5V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

-

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

6nC @ 4.5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

75 毫欧 @ 3.1A,4.5V

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产品种类

MOSFET

供应商器件封装

1206-8 ChipFET™

其它名称

SI5904DC-T1-E3TR
SI5904DCT1E3

典型关闭延迟时间

19 ns

功率-最大值

1.1W

包装

带卷 (TR)

商标

Vishay / Siliconix

商标名

TrenchFET

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

8-SMD,扁平引线

封装/箱体

1206-8 ChipFET

工厂包装数量

3000

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

3,000

漏源极电压(Vdss)

20V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

3.1A

通道模式

Enhancement

配置

Dual

零件号别名

SI5904DC-E3

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