Datasheet下载- 型号： SI7222DN-T1-E3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI7222DN-T1-E3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI7222DN-T1-E3价格参考。VishaySI7222DN-T1-E3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SI7222DN-T1-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI7222DN-T1-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
SI7222DN-T1-E3 是 Vishay Siliconix 品牌下的一款双通道 N 沟道增强型 MOSFET 阵列。它具有低导通电阻（Rds(on)）和高开关速度的特点，适用于多种电力电子应用场景。以下是其主要应用场景： 1. 电源管理： SI7222DN-T1-E3 适合用于 DC-DC 转换器、负载开关和电池管理电路中。它的低导通电阻特性可以减少功率损耗，提高效率，特别适合便携式设备和需要高效能的电子产品。 2. 电机驱动： 在小型电机控制应用中，该器件可用于 H 桥或半桥拓扑结构，实现电机的正转、反转和制动功能。其双通道设计非常适合需要两个独立开关的应用场景。 3. 信号切换： 由于其快速开关特性和低电容，SI7222DN-T1-E3 可用作信号切换开关，例如在音频信号路由、传感器信号切换或数据通信线路切换中。 4. 负载保护： 在需要保护下游电路免受过流或短路影响的情况下，该 MOSFET 阵列可以用作负载开关，结合适当的控制电路实现过流保护和热关断功能。 5. 消费电子设备： 这款器件常用于智能手机、平板电脑、笔记本电脑和其他便携式设备中的电源管理和外围接口控制。 6. 工业自动化： 在工业控制领域，SI7222DN-T1-E3 可用于继电器替代、电磁阀驱动和信号隔离等场合，提供更紧凑和高效的解决方案。 7. 汽车电子： 尽管具体车规认证需进一步确认，但类似规格的器件广泛应用于汽车电子中的 LED 照明控制、座椅调节电机驱动和车载信息娱乐系统中。 总之，SI7222DN-T1-E3 凭借其出色的电气性能和紧凑封装，成为许多低电压、中小电流应用的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET 2N-CH 40V 6A 1212-8MOSFET 40V 6.0/5.7A |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | 2 个 N 沟道（双） |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 6 A |
| Id-连续漏极电流 | 6 A |
| 品牌 | Vishay SiliconixVishay / Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI7222DN-T1-E3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SI7222DN-T1-E3SI7222DN-T1-E3 |
| Pd-PowerDissipation | 2.5 W |
| Pd-功率耗散 | 2.5 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 42 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 42 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 40 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 40 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 12 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 12 V |
| 上升时间 | 50 ns |
| 下降时间 | 7 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.6V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 700pF @ 20V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 29nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 42 毫欧 @ 5.7A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | PowerPAK® 1212-8 Dual |
| 其它名称 | SI7222DN-T1-E3CT |
| 典型关闭延迟时间 | 21 ns |
| 功率-最大值 | 17.8W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 商标名 | TrenchFET/PowerPAK |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 42 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | PowerPAK® 1212-8 双 |
| 封装/箱体 | PowerPAK 1212-8 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 18 S |
| 汲极/源极击穿电压 | 40 V |
| 漏极连续电流 | 6 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 40V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 6A |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Dual |
| 零件号别名 | SI7222DN-E3 |
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