Datasheet下载- 型号： QS6M4TR
- 制造商： ROHM Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供QS6M4TR由ROHM Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 QS6M4TR价格参考￥0.50-￥0.50。ROHM SemiconductorQS6M4TR封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载QS6M4TR参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有QS6M4TR 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ROHM半导体旗下的型号QS6M4TR是一款N沟道MOSFET阵列器件，属于晶体管中的MOSFET类别。该器件集成了多个MOSFET单元，适用于需要高效开关和低导通电阻的应用场景。 QS6M4TR主要应用于便携式电子设备和高密度电源管理系统中。常见使用场景包括智能手机、平板电脑、笔记本电脑等消费类电子产品中的电源开关、负载切换和电池管理电路。由于其小型化封装（如SOP或类似封装）和低导通电阻特性，有助于减少功耗和发热，提升系统能效。 此外，该器件也广泛用于DC-DC转换器、电压调节模块（VRM）以及LED背光驱动电路中，适合在空间受限但对性能要求较高的场合使用。其快速开关能力使其在高频工作环境下表现稳定，适用于各类中低功率开关电源设计。 工业控制领域中，QS6M4TR可用于传感器信号切换、小功率电机驱动及继电器替代方案，实现更可靠的固态开关功能。同时，因其良好的温度稳定性和可靠性，也可用于汽车电子中的非动力系统，如车载信息娱乐系统或内部照明控制。 总之，QS6M4TR凭借其集成化设计、低功耗特性和紧凑封装，适用于消费电子、通信设备、工业控制及部分汽车电子中的电源管理和信号切换应用，是中小型功率开关电路的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N+P 30,20V 1.5A TSMT6MOSFET N+P 30 20V 1.5A TSMT6 |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | N 和 P 沟道 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 1.5 A |
| Id-连续漏极电流 | 1.5 A |
| 品牌 | ROHM Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,ROHM Semiconductor QS6M4TR- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | QS6M4TR |
| Pd-PowerDissipation | 1.25 W |
| Pd-功率耗散 | 1.25 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 260 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 260 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V, - 20 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V, - 20 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 12 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 12 V |
| 上升时间 | 18 ns, 12 ns |
| 下降时间 | 18 ns, 12 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.5V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 80pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 1.6nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 230 毫欧 @ 1.5A，4.5V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=24809 |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TSMT6 |
| 其它名称 | QS6M4DKR |
| 典型关闭延迟时间 | 15 ns, 45 ns |
| 功率-最大值 | 1.25W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | ROHM Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 |
| 封装/箱体 | TSMT-6 |
| 工具箱 | /product-detail/zh/846-1003-KIT/846-1003-KIT-ND/2277304 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N and P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V，20V |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/cn/zh/ph/ROHM/MOSFET_ECOMOS.html |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 1.5A |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Dual |
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