Datasheet下载- 型号： SI1023CX-T1-GE3
- 制造商： Vishay
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI1023CX-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI1023CX-T1-GE3价格参考。VishaySI1023CX-T1-GE3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SI1023CX-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI1023CX-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI1023CX-T1-GE3 是一款双N沟道增强型MOSFET阵列，常用于需要高效开关和低导通电阻的应用场景。该器件采用小尺寸封装，适合空间受限的设计。主要应用场景包括： 1. 电源管理：如DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统中，用于高效切换和能量传输。 2. 电机控制：在小型电机驱动或H桥电路中作为开关元件，实现正反转和速度调节。 3. LED照明：用于LED驱动电路中的开关控制，支持调光功能。 4. 传感器接口：在需要低导通电阻和快速响应的传感器信号调理电路中使用。 5. 便携式设备：如智能手机、平板电脑等低功耗设备中的功率开关或负载管理。 6. 工业自动化：用于PLC模块、继电器替代方案及小型执行器控制电路。 该MOSFET具有低栅极电荷和低导通电阻（Rds(on)）特性，适合高频开关应用，同时具备良好的热稳定性和可靠性，适用于各种中低功率电子系统。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET 2P-CH 20V SC89-6 |
| 产品分类 | FET - 阵列 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 P 沟道（双） |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | SI1023CX-T1-GE3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 45pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 2.5nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 756 毫欧 @ 350mA， 4.5V |
| 供应商器件封装 | SC-89-6 |
| 功率-最大值 | 220mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-563，SOT-666 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | - |
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