Datasheet下载- 型号： MCH6660-TL-H
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MCH6660-TL-H由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MCH6660-TL-H价格参考。ON SemiconductorMCH6660-TL-H封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MCH6660-TL-H参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MCH6660-TL-H 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
型号为 MCH6660-TL-H 的晶体管由 ON Semiconductor 生产，属于 MOSFET 阵列 类别。该器件包含多个MOSFET晶体管集成在一个封装中，通常用于需要高效、紧凑设计的电路中。 应用场景主要包括： 1. 电源管理：适用于DC-DC转换器、电压调节模块（VRM）等，因其集成多个MOSFET，可提高电源转换效率并减少PCB空间占用。 2. 负载开关：用于控制电源对负载的供给，常见于笔记本电脑、平板电脑和智能手机等便携设备中。 3. 电机驱动：在小型电机控制电路中作为开关元件，适用于玩具、家电和工业自动化设备。 4. 电池供电设备：如无线耳机、智能手表等低功耗产品，MCH6660-TL-H可实现高效的电源控制与分配。 5. 逻辑控制电路：用于数字电路中作为高/低端开关，协助实现复杂的逻辑功能。 该器件采用小型封装，适合高密度PCB布局，广泛应用于消费电子、通信设备和便携式产品中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N/P-CH 10V 2/1.5A MCPH6MOSFET PCH+NCH 1.8V DRIVE SERIES |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | N 和 P 沟道 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 2 A |
| Id-连续漏极电流 | 2 A, - 1.5 A |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,ON Semiconductor MCH6660-TL-H- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MCH6660-TL-H |
| Pd-PowerDissipation | 0.8 W |
| Pd-功率耗散 | 800 mW |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 136 mOhms, 266 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 20 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | - |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 128pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 1.8nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 136 毫欧 @ 1A，4.5V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 6-MCPH |
| 功率-最大值 | 800mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 封装/箱体 | MCPH-6 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N and P-Channel |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 2A，1.5A |
| 系列 | MCH6660 |
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