Datasheet下载- 型号： SI3585DV-T1-GE3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI3585DV-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI3585DV-T1-GE3价格参考。VishaySI3585DV-T1-GE3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SI3585DV-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI3585DV-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI3585DV-T1-GE3 是一款双通道 N 沟道增强型 MOSFET 阵列，具有低导通电阻和快速开关性能。以下是其主要应用场景： 1. 电源管理 - 用于 DC-DC 转换器、电压调节模块（VRM）以及负载开关等应用中，实现高效的功率转换。 - 在电池供电设备中用作电源开关或保护电路，以降低功耗并提高效率。 2. 电机驱动 - 控制小型直流电机或步进电机的启动、停止和速度调节。 - 在多相电机驱动系统中作为功率级元件，提供精确的电流控制。 3. 信号切换 - 在需要高频信号切换的应用中（如通信设备或测试仪器），该器件可以实现低损耗的信号路由。 - 适用于音频信号切换，确保低失真和高保真度。 4. 便携式电子设备 - 广泛应用于智能手机、平板电脑、笔记本电脑和其他便携式设备中的电源管理单元。 - 提供紧凑的设计方案，支持小型化和高效能需求。 5. 数据存储设备 - 在固态硬盘（SSD）、硬盘驱动器（HDD）和 USB 存储设备中用作电源开关或负载保护。 - 确保设备在待机模式下的低功耗表现。 6. 汽车电子 - 用于车身控制模块（BCM）、LED 照明驱动、风扇控制和其他低压汽车应用。 - 具备良好的热特性和可靠性，适合严苛的工作环境。 7. 工业自动化 - 在传感器接口、继电器替代和工业控制器中用作开关元件。 - 支持快速响应和高可靠性的工业应用需求。 SI3585DV-T1-GE3 的低导通电阻（Rds(on)）和小封装尺寸使其成为需要高效功率转换和节省空间设计的理想选择。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N/P-CH 20V 2A 6-TSOP |
| 产品分类 | FET - 阵列 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | N 和 P 沟道 |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | SI3585DV-T1-GE3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 600mV @ 250µA （最小） |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 3.2nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 125 毫欧 @ 2.4A，4.5V |
| 供应商器件封装 | 6-TSOP |
| 其它名称 | SI3585DV-T1-GE3CT |
| 功率-最大值 | 830mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-TSOP（0.065"，1.65mm 宽） |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 2A，1.5A |
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