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Datasheet下载- 型号： ZVN4206AV
- 制造商： Diodes Inc.
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供ZVN4206AV由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 ZVN4206AV价格参考。Diodes Inc.ZVN4206AV封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 通孔 N 沟道 60V 600mA（Ta） 700mW（Ta） TO-92-3。您可以下载ZVN4206AV参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有ZVN4206AV 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Diodes Incorporated生产的ZVN4206AV是一种N沟道增强型MOSFET（金属氧化物场效应晶体管），广泛应用于各种电子设备中。以下是该型号的一些典型应用场景： 1. 电源管理： - ZVN4206AV常用于开关电源、DC-DC转换器和线性稳压器等电源管理系统中，作为开关元件或同步整流器。其低导通电阻（Rds(on)）有助于提高效率，减少功率损耗。 2. 电机驱动： - 在小型电机驱动电路中，如步进电机、直流电机和无刷直流电机的控制电路中，ZVN4206AV可以作为功率开关或逻辑电平驱动器，实现高效的电机启动、停止和调速功能。 3. 负载切换： - 该MOSFET适用于负载切换应用，例如在电池供电设备中，通过控制MOSFET的导通与关断来管理电池与负载之间的连接，确保设备在待机时的低功耗状态。 4. 保护电路： - 在过流保护、短路保护和反向电压保护电路中，ZVN4206AV可以用作快速响应的开关元件，迅速切断电流路径，防止损坏敏感的下游组件。 5. 音频放大器： - 在一些便携式音频设备中，如耳机放大器和小型扬声器驱动器，ZVN4206AV可用于输出级，提供高效且低失真的音频信号放大。 6. 通信设备： - 在无线通信模块、蓝牙设备和其他低功耗通信系统中，ZVN4206AV可用于射频前端电路中的开关，以实现发射和接收模式的切换。 7. 消费电子产品： - 该器件也常见于智能手机、平板电脑、笔记本电脑等消费类电子产品中，用于充电管理、背光调节等功能模块。 8. 工业自动化： - 在传感器接口、PLC（可编程逻辑控制器）输入输出模块以及工业机器人的运动控制系统中，ZVN4206AV可以作为信号隔离和功率放大的关键元件。 总之，ZVN4206AV凭借其优异的电气特性、紧凑的封装尺寸以及可靠性，成为众多低功耗、高效率应用的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 600MA TO92-3MOSFET Avalanche |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 600 mA |
| Id-连续漏极电流 | 600 mA |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Diodes Incorporated ZVN4206AV- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | ZVN4206AV |
| Pd-PowerDissipation | 0.7 W |
| Pd-功率耗散 | 700 mW |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 1.5 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 1.5 Ohms |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 60 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 12 ns |
| 下降时间 | 12 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 100pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | - |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 1 欧姆 @ 1.5A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-92-3 |
| 典型关闭延迟时间 | 12 ns |
| 功率-最大值 | 700mW |
| 包装 | 散装 |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Bulk |
| 封装/外壳 | TO-226-3、TO-92-3 标准主体 |
| 封装/箱体 | TO-92-3 |
| 工厂包装数量 | 4000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 4,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 600mA （Ta） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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