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Datasheet下载- 型号： IRF7301PBF
- 制造商： International Rectifier
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF7301PBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF7301PBF价格参考。International RectifierIRF7301PBF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRF7301PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRF7301PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IRF7301PBF是由Infineon Technologies（英飞凌科技）生产的一款晶体管，属于FET（场效应晶体管）、MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）阵列类别。该型号的应用场景主要包括以下几个方面： 1. 电源管理 - IRF7301PBF适用于各种电源管理系统，例如DC-DC转换器、电压调节模块（VRM）和负载开关。其低导通电阻特性有助于提高效率，减少功率损耗。 - 在电池供电设备中，可用于电池充电管理、保护电路和高效能量分配。 2. 电机驱动 - 该器件可应用于小型直流电机或步进电机的驱动电路中，支持高效切换和精确控制。 - 常用于消费电子设备（如打印机、扫描仪）中的电机控制以及家用电器（如风扇、泵）的驱动。 3. 信号切换与隔离 - IRF7301PBF可用作信号切换元件，在多路复用器或多通道信号切换应用中提供高性能表现。 - 在需要电气隔离的场合，例如工业自动化设备或通信接口，该器件能够实现可靠的数据传输和信号隔离。 4. 汽车电子 - 在汽车领域，IRF7301PBF可用于车身控制系统、车载娱乐系统、LED照明驱动以及传感器信号处理等。 - 其高可靠性设计使其能够在严苛的工作环境中保持稳定性能，满足汽车级应用要求。 5. 消费类电子产品 - 该型号广泛应用于笔记本电脑、平板电脑和其他便携式电子设备中，用于电源管理和热插拔保护。 - 在USB接口保护、快速充电电路和音频放大器中也有出色表现。 6. 工业控制 - 在工业自动化设备中，IRF7301PBF可用于继电器替代方案、固态继电器（SSR）和开关矩阵等应用。 - 支持工业物联网（IIoT）设备中的高效能量转换和信号处理。 总结 IRF7301PBF凭借其卓越的电气特性和可靠性，适合多种应用场景，特别是在需要高效功率转换、低功耗运行和快速切换的场合。其紧凑的设计也使其成为空间受限应用的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8-SOICMOSFET 20V DUAL N-CH HEXFET 50mOhms 13.3nC |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 N 沟道（双） |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 5.2 A |
| Id-连续漏极电流 | 5.2 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRF7301PBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRF7301PBF |
| Pd-PowerDissipation | 2 W |
| Pd-功率耗散 | 2 W |
| Qg-GateCharge | 13.3 nC |
| Qg-栅极电荷 | 13.3 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 50 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 50 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 20 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 12 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 12 V |
| 上升时间 | 42 ns |
| 下降时间 | 51 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 700mV @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 660pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 20nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 50 毫欧 @ 2.6A，4.5V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 典型关闭延迟时间 | 32 ns |
| 功率-最大值 | 2W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 封装/箱体 | SOIC-8 |
| 工厂包装数量 | 95 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 95 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 5.2A |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Dual |
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