ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 > SI4953ADY-T1-GE3
Datasheet下载- 型号： SI4953ADY-T1-GE3
- 制造商： Vishay
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI4953ADY-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI4953ADY-T1-GE3价格参考。VishaySI4953ADY-T1-GE3封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列， 2 个 P 沟道（双） Mosfet 阵列 30V 3.7A 1.1W 表面贴装 8-SO。您可以下载SI4953ADY-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI4953ADY-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI4953ADY-T1-GE3 是一款双通道 N 沟道 MOSFET 阵列，采用 SOT-23 封装，具有低导通电阻、高开关速度和紧凑尺寸的特点。该器件广泛应用于对空间和能效要求较高的电子系统中。 典型应用场景包括：便携式电子产品（如智能手机、平板电脑和可穿戴设备）中的电源管理与负载开关，用于高效控制电池供电路径；在DC-DC转换器和同步整流电路中提升转换效率；作为电机驱动或LED驱动电路中的开关元件；适用于热插拔电路和信号切换应用，实现快速响应和低功耗运行。 此外，SI4953ADY-T1-GE3 也常用于笔记本电脑、USB电源开关、充电管理模块及小型电源适配器等消费类电子设备中。其双MOSFET结构支持并联使用以降低总导通损耗，也可用于H桥或半桥拓扑中驱动小功率负载。由于具备良好的热稳定性和可靠性，该器件适合在工业控制、通信模块及嵌入式系统中长期稳定工作。 综上，SI4953ADY-T1-GE3 凭借其高性能与小型化优势，主要服务于高密度、低电压、低功耗的现代电子设计需求。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET 2P-CH 30V 3.7A 8-SOICMOSFET 30V 3.9A 2.0W 53mohm @ 10V |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 P 沟道（双） |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 3.7 A |
| Id-连续漏极电流 | 3.7 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI4953ADY-T1-GE3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SI4953ADY-T1-GE3SI4953ADY-T1-GE3 |
| Pd-PowerDissipation | 2 W |
| Pd-功率耗散 | 2 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 53 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 53 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 10 ns |
| 下降时间 | 20 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA （最小） |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 25nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 53 毫欧 @ 4.9A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 其它名称 | SI4953ADY-T1-GE3DKR |
| 典型关闭延迟时间 | 40 ns |
| 功率-最大值 | 1.1W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 封装/箱体 | SOIC-8 Narrow |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 3.7A |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Dual |
| 零件号别名 | SI4953ADY-GE3 |
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