ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > FDMS8460
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Datasheet下载- 型号： FDMS8460
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDMS8460由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDMS8460价格参考。Fairchild SemiconductorFDMS8460封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 40V 25A（Ta），49A（Tc） 2.5W（Ta），104W（Tc） 8-PQFN（5x6）。您可以下载FDMS8460参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDMS8460 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDMS8460是由ON Semiconductor（现为安森美半导体）生产的单个FET MOSFET晶体管。它属于N沟道增强型MOSFET，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于多种电力电子应用。以下是其主要应用场景： 1. 电源管理：FDMS8460常用于DC-DC转换器、降压和升压稳压器等电源管理系统中。它的低导通电阻（Rds(on)）可以减少传导损耗，提高效率。例如，在笔记本电脑、智能手机和平板电脑的充电电路中，该器件能够有效管理电源分配。 2. 电机驱动：在小型电机控制领域，如无刷直流电机（BLDC）驱动器、风扇控制器和泵控制器中，FDMS8460可以作为功率级的一部分，实现高效的PWM调制和电流控制。其快速开关特性有助于降低电磁干扰（EMI）并提升系统响应速度。 3. 负载开关：该MOSFET可用于设计负载开关，以保护下游电路免受过流、短路等异常情况的影响。它能够迅速切断故障路径，确保系统的稳定性和安全性。 4. 电池管理系统（BMS）：在电动汽车、电动工具及便携式设备的电池管理系统中，FDMS8460可充当充放电路径上的关键开关元件，精确控制电池的充放电过程，同时提供过温保护等功能。 5. 消费类电子产品：广泛应用于各种消费类电子产品，如智能音箱、智能家居设备等，用作信号切换或电源隔离，确保不同模块之间的正常工作。 总之，FDMS8460凭借其优良的电气性能和可靠性，在众多电力电子应用中扮演着重要角色，特别是在需要高效能、小尺寸解决方案的情况下表现尤为突出。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 40V 25A POWER56MOSFET 40V N-Channel Power Trench |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 25 A |
| Id-连续漏极电流 | 25 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDMS8460PowerTrench® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FDMS8460 |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 2.5 W |
| Pd-功率耗散 | 2.5 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 2.2 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 2.2 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 40 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 40 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 9 ns |
| 下降时间 | 7 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 7205pF @ 20V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 110nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 2.2 毫欧 @ 25A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356 |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | Power56 |
| 其它名称 | FDMS8460TR |
| 典型关闭延迟时间 | 48 ns |
| 功率-最大值 | 2.5W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 单位重量 | 90 mg |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-PQFN，Power56 |
| 封装/箱体 | Power 56-8 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 40V |
| 特色产品 | http://www.digikey.cn/product-highlights/cn/zh/fairchild-cloud-systems-computing/4301 |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 25A （Ta）， 49A （Tc） |
| 系列 | FDMS8460 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single Quad Drain Triple Source |
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