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MM3Z10VST1G产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MM3Z10VST1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MM3Z10VST1G价格参考。ON SemiconductorMM3Z10VST1G封装/规格:二极管 - 齐纳 - 单, Zener Diode 10V 300mW ±2% Surface Mount SOD-323。您可以下载MM3Z10VST1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MM3Z10VST1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor的MM3Z10VST1G是一款单齐纳二极管,具有10V的击穿电压。它广泛应用于各种电子设备中,主要用于电压稳压、过压保护和参考电压等场景。以下是其主要应用场景: 1. 电压稳压 MM3Z10VST1G可以用作电压稳压器,确保电路中的电压保持在设定的范围内。例如,在电源电路中,当输入电压波动时,齐纳二极管可以将输出电压稳定在10V左右,防止后级电路因电压过高或过低而损坏。 2. 过压保护 在一些敏感的电子设备中,如传感器、通信模块等,可能会遇到瞬态高压冲击。MM3Z10VST1G可以通过钳位作用,将电压限制在安全范围内,保护后续电路免受过压损害。例如,在USB接口或RS-232通信线路上,齐纳二极管可以有效防止静电放电(ESD)或其他瞬态电压尖峰。 3. 参考电压源 齐纳二极管可以作为精密的参考电压源,特别是在模拟电路中。MM3Z10VST1G可以在需要精确电压基准的地方提供稳定的10V电压,适用于ADC/DAC转换、比较器参考电压等场合。 4. 浪涌抑制 在电力系统或工业控制领域,电网中的浪涌电压可能会对设备造成损害。MM3Z10VST1G可以用于抑制这些浪涌电压,确保设备的安全运行。例如,在开关电源、电机驱动器等应用中,齐纳二极管可以有效吸收瞬态浪涌能量。 5. 温度补偿 某些应用中,温度变化会影响电路性能。MM3Z10VST1G可以通过与温度系数相反的元件配合使用,实现温度补偿功能,确保电路在不同温度下的稳定性。 6. 信号箝位 在信号处理电路中,齐纳二极管可以用于箝位信号,防止信号幅度过大。例如,在音频放大器或视频信号处理电路中,MM3Z10VST1G可以确保信号不会超出预定范围,避免失真或损坏。 总之,MM3Z10VST1G凭借其稳定的10V击穿电压和良好的性能,适用于多种电压稳压、保护和参考电压的应用场景,特别适合于需要高可靠性和稳定性的电子产品设计。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | DIODE ZENER 10V 200MW SOD323稳压二极管 ZEN REG 0.2W TR |
产品分类 | 单二极管/齐纳分离式半导体 |
品牌 | ON Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 二极管与整流器,稳压二极管,ON Semiconductor MM3Z10VST1G- |
数据手册 | |
产品型号 | MM3Z10VST1G |
PCN设计/规格 | |
不同If时的电压-正向(Vf) | 900mV @ 10mA |
不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500nA @ 6V |
产品目录页面 | |
产品种类 | 稳压二极管 |
供应商器件封装 | SOD-323 |
其它名称 | MM3Z10VST1GOSDKR |
功率-最大值 | 200mW |
功率耗散 | 200 mW |
包装 | Digi-Reel® |
商标 | ON Semiconductor |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
容差 | ±2% |
封装 | Reel |
封装/外壳 | SC-76,SOD-323 |
封装/箱体 | SOD-323 |
工作温度 | -65°C ~ 150°C |
工厂包装数量 | 3000 |
最大反向漏泄电流 | 500 nA |
最大工作温度 | + 150 C |
最大齐纳阻抗 | 15 Ohms |
最小工作温度 | - 65 C |
标准包装 | 1 |
电压-齐纳(标称值)(Vz) | 10V |
电压容差 | 2 % |
电压温度系数 | 6.25 mV/K |
系列 | MM3Z3V3ST1 |
配置 | Single |
阻抗(最大值)(Zzt) | 15 欧姆 |
齐纳电压 | 10 V |