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Datasheet下载- 型号： VEMT2503X01
- 制造商： Vishay
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供VEMT2503X01由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 VEMT2503X01价格参考。VishayVEMT2503X01封装/规格：光学传感器 - 光电晶体管， Phototransistor 850nm Top View 2-SMD, Z-Bend。您可以下载VEMT2503X01参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有VEMT2503X01 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Semiconductor Opto Division生产的VEMT2503X01是一款高灵敏度表面贴装红外光电晶体管，属于光学传感器中的光电晶体管类别。该器件采用透明白色环氧树脂封装，具有优异的光透过率和方向性，适用于需要精确检测光线变化的应用场景。 VEMT2503X01广泛应用于消费电子、工业控制和通信设备中。典型使用场景包括：自动亮度调节系统（如智能手机、平板电脑和显示器中的环境光感应）、接近感应（如手机通话时关闭屏幕以防止误触）、打印机和复印机中的纸张检测、编码器位置检测以及各类光电开关装置。其高灵敏度和快速响应特性使其在低光照条件下仍能稳定工作，适合对功耗和空间有严格要求的便携式设备。 此外，该器件具备良好的温度稳定性和抗干扰能力，可在较宽的温度范围内可靠运行，适用于工业自动化和汽车电子中的非接触式传感应用。由于其符合RoHS标准且为无铅产品，也满足现代电子产品环保要求。 综上所述，VEMT2503X01凭借其小型化设计、高灵敏度和可靠性，广泛用于需精准光检测的智能设备与自动化系统中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 传感器，变送器光电子产品 |
| 描述 | NPN PHOTO TRANSISTOR SMD RGULLWI光电晶体管 20V 100mW 35Deg |
| 产品分类 | 光学传感器 - 光电晶体管光学探测器和传感器 |
| 品牌 | Vishay Semiconductor Opto DivisionVishay Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 光电晶体管,Vishay Semiconductors VEMT2503X01- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | VEMT2503X01VEMT2503X01 |
| 产品 | Phototransistors |
| 产品种类 | 光电晶体管 |
| 其它名称 | VEMT2503X01CT |
| 功率-最大值 | 100mW |
| 商标 | Vishay Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 2-SMD，Z形弯曲d |
| 最大功率耗散 | 100 mW |
| 最大工作温度 | + 100 C |
| 最大暗电流 | 100 nA |
| 最小工作温度 | - 40 C |
| 朝向 | 顶视图 |
| 标准包装 | 1 |
| 波长 | 850nm850 nm |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 20V |
| 电流-暗(Id)（最大值） | 1nA |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 50mA |
| 类型 | Silicon NPN Phototransistor |
| 系列 | VEMT |
| 视角 | 70° |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 20 V |
| 集电极—射极击穿电压 | 20 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 0.4 V |
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