Datasheet下载- 型号： ALD110900PAL
- 制造商： Advanced Linear Devices
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供ALD110900PAL由Advanced Linear Devices设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 ALD110900PAL价格参考。Advanced Linear DevicesALD110900PAL封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载ALD110900PAL参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有ALD110900PAL 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ALD110900PAL 是由 Advanced Linear Devices Inc. 生产的一款晶体管阵列，属于 FET（场效应晶体管）和 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）类别。该型号的应用场景主要包括以下几个方面： 1. 模拟开关电路：ALD110900PAL 可用于构建高性能的模拟开关，适用于信号切换、多路复用器和解复用器等应用。其低导通电阻和高线性度使其适合处理精密的模拟信号。 2. 电源管理：该器件可用于设计高效的电源管理电路，例如负载开关、电池保护和电源路径管理。它能够实现快速开关和低功耗操作，非常适合便携式电子设备。 3. 数据采集系统：在数据采集系统中，ALD110900PAL 可用于信号调理和通道选择，确保高精度的数据转换和处理。 4. 音频信号处理：由于其低失真和低噪声特性，该器件适用于音频信号的放大和切换，可提升音质表现。 5. 传感器接口：ALD110900PAL 可用于传感器信号的放大和调理，支持各种类型的传感器（如温度、压力、光敏传感器）与主控系统的连接。 6. 通信设备：在通信领域，该器件可用于射频和中频信号的处理，提供稳定的性能和可靠性。 7. 工业自动化：在工业控制和自动化系统中，ALD110900PAL 可用于驱动小型电机、继电器和其他执行器，同时实现精确的电流和电压控制。 总的来说，ALD110900PAL 凭借其优异的电气特性和可靠性，广泛应用于消费电子、工业控制、通信设备以及医疗仪器等领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Depletion |
| 描述 | MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIPMOSFET Dual EPAD(R) N-Ch |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | 2 N 沟道（双）配对 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 12 mA |
| Id-连续漏极电流 | 12 mA |
| 品牌 | Advanced Linear Devices Inc |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Advanced Linear Devices ALD110900PALEPAD®， Zero Threshold™ |
| mouser_ship_limit | 根据美国政府的出口法规规定，Mouser无法将此产品销售到您所在的国家。 |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | ALD110900PAL |
| Pd-PowerDissipation | 500 mW |
| Pd-功率耗散 | 500 mW |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 500 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 500 Ohms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 10 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 10 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 10.6 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 10.6 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 20mV @ 1µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2.5pF @ 5V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | - |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 500 欧姆 @ 4V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-PDIP |
| 其它名称 | 1014-1032 |
| 典型关闭延迟时间 | 10 ns |
| 功率-最大值 | 500mW |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | Advanced Linear Devices |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装/外壳 | 8-DIP（0.300"，7.62mm） |
| 封装/箱体 | PDIP-8 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 70 C |
| 最小工作温度 | 0 C |
| 标准包装 | 50 |
| 正向跨导-最小值 | 0.0014 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 10.6V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | - |
| 系列 | ALD110900P |
| 通道模式 | Depletion |
| 配置 | Dual |
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