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  • 型号: PD57018-E
  • 制造商: STMicroelectronics
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供PD57018-E由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PD57018-E价格参考。STMicroelectronicsPD57018-E封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 射频, 射频 Mosfet LDMOS 28V 100mA 945MHz 16.5dB 18W 10-PowerSO。您可以下载PD57018-E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PD57018-E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

TRANS RF N-CH FET LDMOST PWRSO10射频MOSFET晶体管 POWER RF Transistor

产品分类

RF FET分离式半导体

Id-ContinuousDrainCurrent

2.5 A

Id-连续漏极电流

2.5 A

品牌

STMicroelectronics

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,晶体管射频,射频MOSFET晶体管,STMicroelectronics PD57018-E-

数据手册

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产品型号

PD57018-E

Pd-PowerDissipation

31.7 W

Pd-功率耗散

31.7 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

760 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

760 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

65 V

Vds-漏源极击穿电压

65 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

+/- 20 V

产品种类

射频MOSFET晶体管

产品类型

RF MOSFET Power

供应商器件封装

10-PowerSO

其它名称

497-5305-5
PD57018E

其它有关文件

http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM1987/CL1989/SC1829/PF131340?referrer=70071840

功率-输出

18W

功率耗散

31.7 W

包装

管件

商标

STMicroelectronics

噪声系数

-

增益

16.5 dB at 945 MHz

安装风格

SMD/SMT

导通电阻

760 mOhms

封装

Tube

封装/外壳

PowerSO-10 裸露底部焊盘

封装/箱体

PowerSO-10RF (Formed Lead)

工厂包装数量

50

技术

MOSFET

晶体管极性

N-Channel

晶体管类型

MOSFET Power

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 65 C

标准包装

50

正向跨导-最小值

1 S

汲极/源极击穿电压

65 V

漏极连续电流

2.5 A

电压-测试

28V

电压-额定

65V

电流-测试

100mA

系列

PD57018-E

输出功率

18 W

配置

Single

闸/源击穿电压

+/- 20 V

频率

1 GHz

额定电流

2.5A

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