ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > FDN335N
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Datasheet下载- 型号： FDN335N
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDN335N由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDN335N价格参考￥0.61-￥0.74。Fairchild SemiconductorFDN335N封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 20V 1.7A（Ta） 500mW（Ta） SuperSOT-3。您可以下载FDN335N参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDN335N 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDN335N是安森美（ON Semiconductor）生产的一款N沟道增强型MOSFET，属于小信号MOSFET类别，广泛应用于低电压、低功耗的开关和控制场景。其主要特点包括低导通电阻（RDS(on)）、小封装（如SOT-23），适合空间受限的便携式设备。 典型应用场景包括： 1. 便携式电子产品：用于智能手机、平板电脑、蓝牙耳机等设备中的电源管理开关，实现对负载的高效通断控制。 2. 电池供电设备：在手电筒、电子锁、充电宝等产品中作为电池开关，降低待机功耗，延长续航时间。 3. 信号切换与逻辑控制：适用于各类数字电路中的电平转换、信号路由或驱动LED指示灯。 4. 电源管理模块：用于DC-DC转换器、LDO使能控制或反向电流阻断电路，提升系统效率。 5. 消费类电器：如智能家居设备、遥控器、传感器模块中，实现低功耗开关功能。 由于其具备快速开关响应、低栅极电荷和良好的热稳定性，FDN335N在需要高效率和小型化的应用中表现优异。同时，该器件符合RoHS环保标准，适用于工业级温度范围（-55°C 至 +150°C），可靠性高，是众多嵌入式和电源控制设计中的常用元件。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 20V 1.7A SSOT3MOSFET SSOT-3 N-CH 20V |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平栅极，2.5V 驱动 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 1.7 A |
| Id-连续漏极电流 | 1.7 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDN335NPowerTrench® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FDN335N |
| PCN封装 | |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 0.5 W |
| Pd-功率耗散 | 500 mW |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 55 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 55 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 20 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 8 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 8 V |
| 上升时间 | 8.5 ns |
| 下降时间 | 8.5 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 310pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 5nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 70 毫欧 @ 1.7A，4.5V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356 |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 3-SSOT |
| 其它名称 | FDN335NTR |
| 典型关闭延迟时间 | 11 ns |
| 功率-最大值 | 460mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 单位重量 | 30 mg |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SSOT-3 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 正向跨导-最小值 | 7 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 1.7A （Ta） |
| 系列 | FDN335N |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | FDN335N_NL |
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