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  • 型号: FDMS86255
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供FDMS86255由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDMS86255价格参考¥11.21-¥11.87。Fairchild SemiconductorFDMS86255封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 150V 10A(Ta),45A(Tc) 2.7W(Ta),113W(Tc) Power56。您可以下载FDMS86255参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDMS86255 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

MOSFET N-CH 150V 8-MLPMOSFET 150V N-Channel Shielded Gate PowerTrench MOSFET

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

45 A

Id-连续漏极电流

45 A

品牌

Fairchild Semiconductor

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDMS86255PowerTrench®

数据手册

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产品型号

FDMS86255

PCN组件/产地

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Pd-PowerDissipation

113 W

Pd-功率耗散

113 W

Qg-GateCharge

63 nC

Qg-栅极电荷

63 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

25 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

25 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

150 V

Vds-漏源极击穿电压

150 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

4 V

Vgsth-栅源极阈值电压

4 V

上升时间

10 ns

下降时间

12 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

4480pF @ 75V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

63nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

12.4 毫欧 @ 10A, 10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

Power56

其它名称

FDMS86255DKR

典型关闭延迟时间

45 ns

功率-最大值

113W

包装

Digi-Reel®

单位重量

4.376 g

商标

Fairchild Semiconductor

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

导通电阻

25 mOhms

封装

Reel

封装/外壳

8-PowerTDFN

封装/箱体

Power-56-10

工厂包装数量

3000

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

汲极/源极击穿电压

150 V

漏极连续电流

45 A

漏源极电压(Vdss)

150V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

10A (Ta)

系列

FDMS86255

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