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MMBT3906TT1G产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MMBT3906TT1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMBT3906TT1G价格参考¥0.15-¥0.15。ON SemiconductorMMBT3906TT1G封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 单, Bipolar (BJT) Transistor PNP 40V 200mA 250MHz 200mW Surface Mount SC-75, SOT-416。您可以下载MMBT3906TT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MMBT3906TT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor(安森美)的MMBT3906TT1G是一款通用型PNP双极结型晶体管(BJT),属于小信号晶体管,广泛应用于各类电子电路中。其主要应用场景包括: 1. 开关电路:MMBT3906TT1G常用于低功率开关应用,如驱动LED、继电器、小型电机或作为数字逻辑电路中的开关元件,适用于微控制器与负载之间的接口控制。 2. 信号放大:在音频设备、传感器信号调理电路和模拟前端中,该晶体管可用于小信号放大,例如放大来自麦克风或传感器的微弱电信号。 3. 电源管理:在DC-DC转换器、电压调节器或电流镜电路中,作为控制元件实现电流控制或电平转换功能。 4. 消费类电子产品:广泛用于手机、平板、电视、家用电器等设备中的电源控制、信号切换和接口电路。 5. 工业与汽车电子:因其符合AEC-Q101车规认证,也适用于汽车电子系统,如车身控制模块、灯光控制、车载传感器接口等。 MMBT3906TT1G采用SOT-23小型表面贴装封装,适合高密度PCB布局,具有良好的可靠性与温度稳定性,性价比高,是中小功率模拟与数字电路中的常用器件。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | TRANS PNP GP 40V 200MA SC75-3两极晶体管 - BJT 200mA 40V PNP |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
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| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor MMBT3906TT1G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MMBT3906TT1G |
| PCN设计/规格 | |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 400mV @ 5mA,50mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 100 @ 10mA,1V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | SC-75,SOT-416 |
| 其它名称 | MMBT3906TT1GOSDKR |
| 功率-最大值 | 200mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 发射极-基极电压VEBO | 5 V |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 增益带宽产品fT | 250 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-75,SOT-416 |
| 封装/箱体 | SC-75-3 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | PNP |
| 晶体管类型 | PNP |
| 最大功率耗散 | 225 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 0.2 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 40V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 200mA |
| 电流-集电极截止(最大值) | - |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 60 |
| 系列 | MMBT3906T |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | - 40 V |
| 集电极—基极电压VCBO | - 40 V |
| 集电极—射极饱和电压 | - 0.4 V |
| 集电极连续电流 | - 0.2 A |
| 频率-跃迁 | 250MHz |