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  • 型号: MMBT2222ALT1G
  • 制造商: ON Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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MMBT2222ALT1G产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供MMBT2222ALT1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMBT2222ALT1G价格参考。ON SemiconductorMMBT2222ALT1G封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 单, Bipolar (BJT) Transistor NPN 40V 600mA 300MHz 225mW Surface Mount SOT-23。您可以下载MMBT2222ALT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MMBT2222ALT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

MMBT2222ALT1G是安森美(ON Semiconductor)生产的一款NPN型双极结型晶体管(BJT),属于通用小信号晶体管。该器件采用SOT-23小型表面贴装封装,适合高密度PCB布局,广泛应用于便携式电子设备和消费类电子产品中。

其典型应用场景包括:开关电路和放大电路。在开关应用中,MMBT2222ALT1G常用于驱动LED、继电器、小型电机或作为数字逻辑电路中的开关元件,适用于微控制器I/O引脚的功率扩展。在模拟信号放大方面,可用于音频信号放大、传感器信号调理等低频小信号放大电路。

该晶体管具有较高的直流电流增益(hFE)和快速的开关响应速度,工作频率较高,适合中高频应用。由于其稳定性和可靠性,也广泛用于电源管理电路、DC-DC转换器的控制部分、无线通信模块中的射频信号开关以及各类工业控制设备。

此外,MMBT2222ALT1G符合RoHS环保要求,并具有无铅设计,适用于现代绿色电子产品制造。因其性价比高、供货稳定,成为众多电子设计中的首选通用NPN三极管之一。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

TRANS NPN 40V 600MA SOT23两极晶体管 - BJT SS SOT23 GP XSTR NPN 40V

产品分类

晶体管(BJT) - 单路分离式半导体

品牌

ON Semiconductor

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor MMBT2222ALT1G-

数据手册

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产品型号

MMBT2222ALT1G

不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

1V @ 50mA,500mA

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

100 @ 150mA,10V

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产品种类

两极晶体管 - BJT

供应商器件封装

SOT-23

其它名称

MMBT2222ALT1GOSDKR

功率-最大值

300mW

包装

Digi-Reel®

发射极-基极电压VEBO

6 V

商标

ON Semiconductor

增益带宽产品fT

300 MHz (Min)

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

封装/箱体

SOT-23-3

工厂包装数量

3000

晶体管极性

NPN

晶体管类型

NPN

最大功率耗散

225 W

最大工作温度

+ 150 C

最大直流电集电极电流

0.6 A

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

电压-集射极击穿(最大值)

40V

电流-集电极(Ic)(最大值)

600mA

电流-集电极截止(最大值)

10nA(ICBO)

直流集电极/BaseGainhfeMin

100

系列

MMBT2222AL

配置

Single

集电极—发射极最大电压VCEO

40 V

集电极—基极电压VCBO

75 V

集电极—射极饱和电压

1 V

集电极连续电流

0.6 A

频率-跃迁

300MHz

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