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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供2N3735L由American Microsemiconductor, Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2N3735L价格参考。American Microsemiconductor, Inc.2N3735L封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载2N3735L参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有2N3735L 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Microsemi Corporation(现为Microchip子公司)的2N3735L是一款双极型晶体管(BJT),属于NPN型晶体管。该型号晶体管具有良好的高频响应和较高的电流放大系数,适用于需要快速开关和信号放大的电路应用。 其主要应用场景包括: 1. 射频(RF)放大器:由于2N3735L具备良好的高频特性,常用于射频信号放大电路中,如通信设备、无线接收器前端等。 2. 低噪声前置放大器:在音频或信号采集系统中,作为第一级放大器以提升微弱信号强度,同时保持较低的噪声水平。 3. 开关电路:可用于数字电路中的高速开关应用,例如驱动继电器、LED或小型电机等负载。 4. 振荡器与混频器电路:在射频和通信系统中,常用于构建本地振荡器或频率混频电路,实现信号调制解调功能。 5. 工业控制与自动化设备:在工业控制系统中用于信号处理与功率驱动环节,支持稳定可靠的电路操作。 综上所述,2N3735L凭借其优良的高频性能和稳定性,广泛应用于通信、工业控制、音频处理等领域。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | TRANS NPN 40V 1.5A TO-5 |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路 |
品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/8978-lds-0173-pdf |
产品图片 | |
产品型号 | 2N3735L |
rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 900mV @ 100mA,1A |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 20 @ 1A, 1.5V |
供应商器件封装 | TO-5 |
功率-最大值 | 1W |
包装 | 散装 |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-205AA,TO-5-3 金属罐 |
晶体管类型 | NPN |
标准包装 | 1 |
电压-集射极击穿(最大值) | 40V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 1.5A |
电流-集电极截止(最大值) | 10µA (ICBO) |
频率-跃迁 | - |