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FQPF4N90C产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FQPF4N90C由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQPF4N90C价格参考¥2.49-¥3.11。Fairchild SemiconductorFQPF4N90C封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 900V 4A(Tc) 47W(Tc) TO-220F。您可以下载FQPF4N90C参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FQPF4N90C 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor的FQPF4N90C是一款单通道N沟道MOSFET(金属-氧化物-半导体场效应晶体管),其应用场景广泛,尤其适用于需要高效开关和功率管理的场合。以下是该型号的具体应用场景: 1. 电源管理 FQPF4N90C常用于开关电源(SMPS)的设计中,作为主开关器件。其高击穿电压(900V)使其能够在高压环境下稳定工作,适用于AC-DC转换器、DC-DC转换器等电源管理系统。它能够有效减少开关损耗,提高电源转换效率。 2. 电机驱动 在电机控制应用中,FQPF4N90C可以用于驱动中小型电机,如步进电机、直流电机等。由于其低导通电阻(Rds(on))特性,能够降低发热,提升系统的可靠性和能效。它还可以与其他MOSFET组成H桥电路,实现电机的正反转控制。 3. 逆变器 FQPF4N90C适用于太阳能逆变器、UPS(不间断电源)等设备中的逆变电路。它能够在高压下快速切换,确保输出稳定的交流电,同时具备良好的耐压能力,保障系统在恶劣环境下的稳定性。 4. 负载开关 在工业自动化、汽车电子等领域,FQPF4N90C可以用作负载开关,控制大电流负载的通断。它的快速开关特性和低功耗特点,使得它在这些应用中表现出色,尤其是在需要频繁启停的场景下。 5. 过流保护 FQPF4N90C还可以用于过流保护电路中,通过检测电流并迅速切断电路,防止过载损坏其他元件。其内置的ESD保护功能也增强了其在敏感环境中的抗干扰能力。 6. 家电与消费电子 在家电产品如空调、冰箱、洗衣机等中,FQPF4N90C可以用于压缩机、风扇等部件的控制,提供高效的电力传输和精确的速度调节。 总的来说,FQPF4N90C凭借其高耐压、低导通电阻、快速开关等特性,在电力电子领域有着广泛的应用前景,特别是在需要高效能、高可靠性的地方表现尤为突出。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 900V 4A TO-220FMOSFET 900V N-Ch Q-FET advance C-Series |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 4 A |
| Id-连续漏极电流 | 4 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FQPF4N90CQFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FQPF4N90C |
| PCN封装 | |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 47 W |
| Pd-功率耗散 | 47 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 4.2 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 4.2 Ohms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 900 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 900 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
| 上升时间 | 50 ns |
| 下降时间 | 35 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 960pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 22nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 4.2 欧姆 @ 2A,10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220F |
| 典型关闭延迟时间 | 40 ns |
| 功率-最大值 | 47W |
| 包装 | 管件 |
| 单位重量 | 2.270 g |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
| 封装/箱体 | TO-220FP-3 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 正向跨导-最小值 | 5 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 900V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 4A (Tc) |
| 系列 | FQPF4N90C |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | FQPF4N90C_NL |