Datasheet下载- 型号： NDF02N60ZG
- 制造商： ON Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NDF02N60ZG由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NDF02N60ZG价格参考￥1.58-￥1.69。ON SemiconductorNDF02N60ZG封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NDF02N60ZG参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NDF02N60ZG 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NDF02N60ZG 是由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的一款 N 沟道增强型 MOSFET，属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类别。该型号具有 600V 的高耐压能力，适用于多种高压应用场景。以下是其主要的应用场景： 1. 开关电源（SMPS） NDF02N60ZG 的高电压特性和低导通电阻使其非常适合用于开关电源中的功率开关，例如 AC-DC 转换器和 DC-DC 转换器。它能够高效地处理高电压输入，并在高频开关条件下保持较低的功耗。 2. 电机驱动 在电机驱动应用中，这款 MOSFET 可以用作功率级开关，控制电机的启动、停止和速度调节。其快速开关能力和耐用性使其适合工业电机、家用电器电机以及电动工具等应用。 3. 逆变器 NDF02N60ZG 常用于太阳能逆变器和其他类型的电力逆变器中，将直流电转换为交流电。其高电压耐受能力确保了在高压环境下的稳定运行。 4. 负载开关 在需要频繁切换高电压负载的情况下，这款 MOSFET 可作为高效的负载开关，用于保护电路免受过流或短路的影响。 5. PFC（功率因数校正）电路 在功率因数校正电路中，NDF02N60ZG 可以用作主开关器件，帮助提高系统的功率因数并减少谐波失真。 6. 电池管理 该 MOSFET 也可用于电池管理系统（BMS），特别是在高压电池组中，用于充放电控制和保护功能。 7. 电磁阀和继电器驱动 在工业自动化领域，NDF02N60ZG 可用于驱动电磁阀和继电器，提供稳定的电流输出和快速响应。 8. 汽车电子 由于其高可靠性，这款 MOSFET 还可用于汽车电子系统中，例如车载充电器、LED 照明驱动和电动助力转向系统。 总的来说，NDF02N60ZG 凭借其高电压、低导通电阻和出色的热性能，广泛应用于需要高效功率转换和控制的高压场景中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 4.8OHM TO220FPMOSFET 4.8 OHM 600V TO-220FP |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 2.4 A |
| Id-连续漏极电流 | 2.4 A |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,ON Semiconductor NDF02N60ZG- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | NDF02N60ZG |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 24 W |
| Pd-功率耗散 | 24 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 4 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 4 Ohms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 600 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 600 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4.5V @ 50µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 274pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 10.1nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 4.8 欧姆 @ 1A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220FP |
| 其它名称 | NDF02N60ZG-ND |
| 功率-最大值 | 24W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
| 封装/箱体 | TO-220FP-3 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 标准包装 | 50 |
| 正向跨导-最小值 | 1.7 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 2.4A （Tc） |
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